[实用新型]一种背钝化机台传输导轨有效
申请号: | 201621062999.3 | 申请日: | 2016-09-19 |
公开(公告)号: | CN206148453U | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 袁中存;党继东 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 张海英,林波 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钝化 机台 传输 导轨 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池生产技术领域,尤其涉及一种背钝化机台传输导轨。
背景技术
目前,在太阳能电池片大规模生产过程中均采用平板式等离子体化学沉积法,即PECVD制作减反射膜,其中使用最多的PECVD镀膜方式就是用石墨框承载太阳能电池片,从太阳能电池片镀膜设备的一头传输至另一头,从而完成减反射膜的镀膜制作。
如图1、2所示,现有技术中,用于PECVD镀膜的背钝化机台的传输导轨包括多个阵列排布的滚轮1,同一列中相邻两个滚轮1之间的距离较大,而因机台自身设计的问题,背钝化机台所使用的石墨框10的宽度较窄,且该石墨框10较常规背钝化机台的石墨框偏小很多,进而该石墨框10重量偏轻;这导致石墨框10在背钝化机台腔体内的传输导轨上传输时,石墨框10的侧部经常是悬空的,因而传输不稳定,一旦受到气体的冲击、滚轮1上有沉积的氮化硅或者是石墨框的石墨导轨条有被划伤等等情况,石墨框10在腔体内容易歪斜,进而极易卡至相邻两个滚轮1之间的镂空处,从而卡框风险较大。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种背钝化机台传输导轨,能够解决背钝化机台容易卡框的问题。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种背钝化机台传输导轨,包括间隔设置的多列滚轮组,每列所述滚轮组包括并排间隔设置的多个滚轮,同一列所述滚轮组中相邻两个所述滚轮之间设置有导轨条。
其中,同一列所述滚轮组中相邻两个所述滚轮之间设置有一个所述导轨条,一个所述导轨条设置于两个所述滚轮的中间位置。
其中,同一列所述滚轮组中相邻两个所述滚轮之间设置有至少两个所述导轨条,两个所述导轨条间隔设置。
其中,两个所述导轨条的侧部与对应侧的所述滚轮之间的距离等于两个所述导轨条之间的距离。
其中,所述导轨条的底部连接有导轨支撑结构。
其中,所述导轨支撑结构包括支撑杆,所述支撑杆的顶端连接所述导轨条,所述支撑杆的底端连接有垂直于所述支撑杆设置的连接板,所述连接板通过连接螺钉连接于背钝化机台的机台上。
其中,所述导轨条的垂直于所述滚轮的传输方向的截面呈U型。
其中,所述导轨条的长度为10-30cm。
其中,所述导轨条的宽度为4-6cm。
本实用新型的有益效果为:
本实用新型的背钝化机台传输导轨,包括间隔设置的多列滚轮组,每列所述滚轮组包括并排间隔设置的多个滚轮,同一列所述滚轮组中相邻两个所述滚轮之间设置有导轨条;该该背钝化机台传输导轨,通过增加导轨条,可以配合滚轮实现对石墨框的支撑,从而减小了两个滚轮之间的镂空区域的面积,进而在受到气体的冲击、滚轮上有沉积的氮化硅或者是石墨框的石墨导轨条有被划伤等等情况,石墨框在腔体内即便歪斜,也不至于卡至相邻两个滚轮之间的镂空处,从而解决背钝化机台容易卡框的问题。
附图说明
图1是现有技术中的背钝化机台传输导轨的俯视结构示意图。
图2是图1中的背钝化机台传输导轨的侧面结构示意图。
图3是本实用新型的背钝化机台传输导轨的侧视结构示意图。
图4是图3中的背钝化机台传输导轨的一种优选方式的俯视结构示意图。
图5是图3中的背钝化机台传输导轨的另一种优选方式的俯视结构示意图。
图6是图3中的导轨条与石墨框配合时的端面结构示意图。
图7是图3中的导轨条的连接结构示意图。
图中:10-石墨框;1-滚轮;2-导轨条;3-导轨支撑结构;31-支撑杆;32-连接板;4-连接螺钉。
具体实施方式
下面结合附图1-7并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
如图3所示,一种背钝化机台传输导轨,包括间隔设置的多列滚轮组,每列所述滚轮组包括并排间隔设置的多个滚轮1,同一列所述滚轮组中相邻两个所述滚轮1之间设置有导轨条2。该背钝化机台传输导轨,通过增加导轨条,可以配合滚轮实现对石墨框10的支撑,从而减小了两个滚轮之间的镂空区域的面积,进而在受到气体的冲击、滚轮上有沉积的氮化硅或者是石墨10的石墨导轨条有被划伤等等情况,石墨框10在腔体内即便歪斜,也不至于卡至相邻两个滚轮之间的镂空处,从而解决背钝化机台容易卡框的问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的