[实用新型]保护玻璃以及便携式信息终端有效

专利信息
申请号: 201621032238.3 申请日: 2016-08-31
公开(公告)号: CN206143062U 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 尾关正雄;佐野真;林英明;金杉谕 申请(专利权)人: 旭硝子株式会社
主分类号: C03C15/00 分类号: C03C15/00;B24B1/00;C03C21/00;H04M1/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 赵晶,高培培
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 保护 玻璃 以及 便携式 信息 终端
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及保护玻璃以及便携式信息终端。

背景技术

近年来,作为电子设备类中的高度的安全对策,大量使用将指纹用于个人认证的方法。指纹认证的方法使用光学式、热敏式、压力式、电容式、超声波式等的传感器,但从传感灵敏度、电力消耗的观点出发,认为电容式、超声波式的传感器优异。

例如,电容式传感器对被检测物接近或接触的部位的局部的静电电容变化进行检测。一般的电容式传感器根据静电电容的大小来测定在该传感器内配置的电极与被检测物之间的距离。另外,超声波式传感器可以通过使用超声波对被检测物进行三维检测。在这种方式下,可以透过液体等异物进行检测,作为提高了安全性的生物体认证传感器受到期待。使用这些传感器的指纹认证功能由于小型轻量且电力消耗低,因此特别是搭载在智能电话、移动电话、平板型个人电脑等便携式信息终端(Personal Data Assistance:PDA)中。通常,为了保护指纹认证用传感器(以下仅称为传感器),在该传感器的上部配置有保护玻璃。

通常,为了保护电容式传感器而在该传感器的上部配置保护罩。例如,在专利文献1的电容式传感器包装中,公开了在传感器能够检测对象物的保护玻璃上设置孔,并在该孔配置传感器罩。

专利文献2中,作为便携式设备用保护玻璃,在保护玻璃的主表面形成有用于使利用者识别文字或图形的凹部。此处,通过使凹部的雾度值(雾度)为10%以上,提高了凹部的可视性。另外,使凹部的表面粗糙度Ra大于主表面平坦部的表面粗糙度Ra。由此,通过凹部与主表面平坦部之间手触感之差来使识别凹部的触觉性提高。

专利文献3中公开了便携式设备用保护玻璃的制造方法。该制造方法中,通过在配置抗蚀剂掩模的基础上对板状玻璃进行蚀刻,分离出多个便携式设备用保护玻璃。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开第2013/173773号

专利文献2:日本特开2013-137383号

专利文献3:日本特开2013-1599号

实用新型要解决的问题

然而,如专利文献1记载的发明那样在保护玻璃设置孔并在该孔配置传感器罩的结构中,需要将传感器罩固定于孔的夹具等,因此元件个数变多,组装工序也复杂化。而且,除了保护玻璃之外,还需要传感器罩等异种材料,因此难以实现材料的统一感,外观性差。

另外,例如在专利文献2的便携式设备用保护玻璃中,公开了在保护玻璃表面形成有凹部的结构,但这是用于使利用者识别文字或图形的结构,并非要在该凹部配置传感器。假设在专利文献2的便携式设备用保护玻璃中,在与凹部对应的位置配置有传感器的情况下,凹部的雾度值高,凹部的表面粗糙度Ra大,因此会产生不良情况。即,由于该凹部的表面粗糙,因此传感器电极与被检测物之间的距离变得不均一,所检测出的静电电容也变得不均一。在此情况下,传感器灵敏度下降,有可能无法发挥所期望的功能。

另外,在专利文献3的制造方法中,需要制作反映多个保护玻璃的外形形状的抗蚀剂掩模,掩模制作工序复杂。另外,在用于从板状玻璃得到多个保护玻璃的切割工序中,需要进行蚀刻,因此招致由于切割工序的长时间化、蚀刻剂的废弃等导致的成本增加等。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种外观性优异且能够容易地装入传感器等各种装置的保护玻璃、及具有该保护玻璃的便携式信息终端、以及保护玻璃的制造方法。

用于解决课题的手段

本实用新型的上述目的通过下述结构来实现。

(1)一种保护玻璃,用于对保护对象进行保护,其特征在于,

在所述保护玻璃的正面及背面具有分别相对的至少一个正侧凹部及背侧凹部,

所述保护玻璃一体地具备由所述正侧凹部及所述背侧凹部形成的薄壁部和与所述薄壁部连接的厚壁部。

(2)根据(1)记载的保护玻璃,其中,所述正侧凹部及所述背侧凹部为蚀刻面。

(3)根据(1)或(2)记载的保护玻璃,其中,所述正侧凹部的深度与所述背侧凹部的深度大致相等。

(4)根据(1)~(3)中任一项记载的保护玻璃,其中,所述薄壁部的雾度值为16%以下。

(5)根据(1)~(4)中任一项记载的保护玻璃,其中,在所述薄壁部及所述厚壁部的正面及背面具有压缩应力层。

(6)根据(5)记载的保护玻璃,其中,形成于所述薄壁部的压缩应力层的深度比形成于所述厚壁部的压缩应力层的深度小。

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