[实用新型]IC集成封装不需要外接电源的LED灯珠结构

说明书

技术领域

本实用新型属于IC芯片封装技术领域，尤其涉及IC集成封装不需要外接电源的LED灯珠结构。

背景技术

COB为Chip On Board的缩写，即板上芯片器，工艺过程首先是在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放点，然后将硅片直接安放在基底表面，热处理至硅片牢固地固定在基底为止，随后再用丝焊的方法在硅片和基底之间直接建立电气连接.

传统LED灯珠COB产品，在做成成品灯具后需要外接恒流源或者恒压源，将交流电转换为驱动LED发光的直流电源。LED在正常工作的同时会遇到以下情况：

1.电源在工作时，转换效率直接会影响整灯的效率，市场上的电源绝大部分的转换效率为75-85％。

2.随着目前照明市场部分灯具对体积不断缩小、价格的降低、高转换效率的要求，需要非隔离方案，提高转换效率，缩减的体积逐渐，满足不同户的需要但产品的，但适应性较差，仅适用于单一规格瓦数，设计的LED灯珠瓦数变更时，需更设计和更换陶瓷基板，造成资源浪费。

实用新型内容

为要解决的上述问题，针对以上问题，本实用新型提供IC集成封装不需要外接电源的LED灯珠结构，可以适用于多种瓦数，有效的解决因为瓦数不同导致多种陶瓷基板的情况，达到合理高效统一的目的。

本实用新型的技术方案：IC集成封装不需要外接电源的LED灯珠结构，包括驱动电路和基板结构，所述驱动电路设置在所述基板结构上，所述驱动电路包括电源、桥式整流器、采样调整电路和IC驱动芯片，所述电源与桥式整流器连接整流，所述桥式整流器与所述采样调整电路连接，所述采样调整电路与所述IC驱动芯片连接，所述桥式整流器接地，所述桥式整流器与所述采样调整电路间设置电容C1进行滤波，所述电容C1另一端接地，所述IC驱动芯片通过Vdd端口与电容C2连接，所述电容C2另一端接地；

所述采样调整电路包括采样电阻R1、R2和R3、调节电阻R4，开关SW0、SW1、SW2、SW3和外部电阻Rset，所述采样电阻R1、R2和R3串联，采样电阻R3接地，所述调节电阻R4与所述采样电阻R1、R2和R3并联，所述采样电阻R1、R2和R3串联和所述调节电阻R4均与所述IC驱动芯片连接，所述IC驱动芯片通过Iset端口与外部电阻Rset连接，所述外部电阻Rset另一端接地,所述IC驱动芯片通过G端口接地，所述IC驱动芯片通端口与开关SW0、SW1、SW2、SW3连接。

所述基板结构包括基板、蚀刻线路、LED发光芯片放置区、驱动芯片放置区、元件焊接放置区、接触点，所述基板内置所述蚀刻线路，所述LED发光芯片放置区、所述驱动芯片放置区、所述元件焊接放置区、所述接触点均设置在所述基板上，所述LED发光芯片放置区内放置多个LED发光芯片，所述驱动芯片放置区放置有IC驱动芯片，所述电源通过桥式整流器经过蚀刻线路与所述IC驱动芯片连接，所述LED发光芯片放置区外设置导通线路区,所述元件焊接放置区为多个，每个所述焊接放置区的周边设置接触点，所述蚀刻线路连通所述元件焊接放置区，所述蚀刻线路汇总区连接地线。

所述元件焊接放置区和所述接触点上均设置镀银层，所述镀银层为0.1-0.5mm，所述LED发光芯片放置区内放置多个LED发光芯片的10-18W，所述元件焊接放置区放置元器件，所述元器件为多个均与所述IC驱动芯片连接，所述基板为陶瓷基板。

所述基板的尺寸30mm x30mm，所述采样电阻R1、R2和R3为2.0-4.0兆欧，所述调节电阻R4为10-20千欧，所述外部电阻Rset为80-200千欧。

本实用新型的有益效果：设计合理，通过IC驱动芯片，检测经整流的220v的交流市电电压，来调控通过LED的电流，使得通过LED的电流在相位和输入电压是一致的，实现了高功率因数和高效率。LED发光体部分无需外部偏置电路，可直接用市电驱动，大量的节省了外部元器件，系统应用及其简单。

附图说明

图1是本实用新型的驱动电路的电路图。

图2是本实用新型的基板结构示意图。

图中，1、基板，2、蚀刻线路，3、LED发光芯片放置区，4、驱动芯片放置区，5、元件焊接放置区，6、接触点，7、LED发光芯片，8、IC驱动芯片，9、导通线路区，10、蚀刻线路汇总区、11、电源，12、基板结构，13、桥式整流器，14、采样调整电路。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做出说明。