[实用新型]光伏组件用耐紫外老化EVA复合胶膜有效
申请号: | 201620990201.5 | 申请日: | 2016-08-30 |
公开(公告)号: | CN206401332U | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 周乐;杨同禄 | 申请(专利权)人: | 赛特瑞太阳能(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;B32B27/06;B32B27/30;B32B33/00 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 紫外 老化 eva 复合 胶膜 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种EVA复合胶膜,特别涉及一种光伏组件封装用耐紫外老化EVA复合胶膜。
背景技术
太阳能是一种绿色无污染并且取之不尽的能源,相对其它能源来说,太阳能对于地球上绝大多数地区而言具有普遍存在性、可就地取用,因而在近十年,太阳能产业成为了全球各国发展的重点。太阳能的利用主要是通过太阳能电池板将其转化成电能,然后做其它用途,如太阳能空调、路灯以及电动汽车等等。由于太阳能电池组件的工作环境主要为室外,而光伏组件用电池片不能直接暴露在阳光、雨水等自然条件下,因此有必要对其进行密封。
美国第2001/0045229A1号专利指出构建电子元件模组的聚合物材料应具备几种性质:⑴ 对长期曝置于外环境中(例如:水气和空气)的元件起防护作用;⑵抗冲击性;⑶ 对电子元件及基材具有粘着性;⑷ 易加工处理,易密封;⑸良好透明性,特别是针对光线或其他电磁辐射;⑹短的固化时间,且防护电子元件免于固化期间由于聚合物收缩而产生机械应力;⑺高电阻,且极少(若有的话)的电导性;⑻低成本。没有一种聚合物材料这几种性能均表现最好,通常需要权衡最重要的性能。
基于上述性能要求,具有醋酸含量28%至35%的EVA被普遍用作光伏组件的封装胶膜。例如,见WO95/22844、99/ 0497199/04971、99/05206及2004/055908。EVA具有下述特性:⑴优良的柔韧性、耐冲击性、弹性;⑵具有光学透明性;⑶低温绕曲性、粘着性;⑷耐环境应力开裂性、耐候性、耐腐蚀性;⑸热密封性及电绝缘性。
目前,光伏组件常规结构为:采用高透明、抗紫外及耐老化性能优异、粘接性较好、具有弹性的EVA胶层将光伏组件用电池片封装起来,并和上层保护材料(玻璃)、下层保护材料(作为背板)粘合在一起,共同构成太阳能电池板。
耐紫外老化性能是光伏组件使用寿命的一个重要指标,本公司光伏组件研发者对此进行了探索。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种光伏组件用耐紫外老化EVA复合胶膜,旨在通过结构的改进以使EVA复合胶膜具备更优异的耐紫外老化性能。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种光伏组件用耐紫外老化EVA复合胶膜,其包覆于电池片正面,其依次包括高熔点EVA胶膜层、防紫外线薄膜层、透明EVA胶膜层及低收缩EVA胶膜层,所述高熔点EVA胶膜层所用EVA胶膜熔点高于85℃,所述低收缩EVA胶膜层收缩率小于0.5。
优选地,所述高熔点EVA胶膜层厚度为0.05~0.15mm。
优选地,所述防紫外线薄膜层所采用胶膜为太阳能电池封装用EVA胶膜,其厚度为0.1~0.2mm。
优选地,所述透明EVA胶膜层的厚度为0.1~0.3mm。
优选地,所述低收缩EVA胶膜层厚度为0.01~0.1mm。
优选地,所述低收缩EVA胶膜层表面设有压花花纹。
优选地,所述压花花纹的宽度是0.3~1mm。
优选地,所述压花花纹的深度为30~90μm。
如上所述,本实用新型的光伏组件用耐紫外老化EVA复合胶膜具有以下有益效果:
1)高熔点EVA胶膜层可增强复合胶膜的耐热性;
2)防紫外线薄膜层的设置可大大增强复合胶膜的耐紫外特性;
3)所述透明EVA胶膜层可增加光透过率,且提高复合胶膜间的粘结性;
4)低收缩EVA胶膜层热压过程对电池片影响小,表面上的压花结构设计使电池片在封装过程中更稳定,不致发生滑移。
附图说明
图1为本实用新型实施例所述的光伏组件用耐紫外老化EVA复合胶膜结构示意图;
图2为本实用新型实施例所述的低收缩EVA胶膜层表面设有压花花纹的示意图;
高熔点EVA胶膜层-1;防紫外线薄膜层-2;透明EVA胶膜层-3;低收缩EVA胶膜层-4。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式,熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
本案中以面向阳光侧为“正面”,以背对阳光侧为“背面”。
实施例1
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的