[实用新型]一种应用于反激式开关电源芯片的过热保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种应用于反激式开关电源芯片的过热保护电路。

背景技术

反激式开关电源系统一般工作在密闭的环境当中，密闭的环境会使开关电源芯片的温升加大。开关电源芯片的温度每升高2℃，其安全性、可靠性就会下降10%。为了保护开关电源芯片，使其在高温时不被损坏，必须在芯片内部添加过热保护电路，当开关电源芯片工作温度超过允许温度时，保护电路将关闭功率MOS管。现有的过热保护电路大多在芯片外围添加热敏线圈或热敏电阻，这样其保护灵敏度不够，不能及时地保护开关电源芯片，而且成本较高；采用BiCMOS的工艺的过热保护电路，虽然结构简单，但是必须使用固定的偏置电路，这样的电路功耗较大。

发明内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种应用于反激式开关电源芯片的过热保护电路，在减少成本的前提下，保证保护灵敏度，降低芯片功耗。

为实现上述目的本实用新型采用以下技术方案实现：一种应用于反激式开关电源芯片的过热保护电路，其特征在于：包括第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第一三极管和第一比较器，所述第一MOS管的源极、第二MOS管的源极分别与内部电源连接，所述第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极分别与偏置电压连接，所述第一MOS管的漏极与第一三极管的集电极连接，所述第一三极管的基极分别与第二MOS管的漏极、第一电阻的一端及第一比较器的正输入端连接，所述第一三极管的发射极、第一电阻的另一端接地，所述第一比较器的负输入端与参考电压连接，所述第一比较器的输出端作为逻辑输出端。

本实用新型与现有技术相比具有以下有益效果：本实用新型利用三极管的Vbe电压的负温度系数特性，从芯片内部带隙基准电流源模块中取出随电源电压线性变化的控制电压提供偏置，与内部电压参考模块提供的参考电压进行比较。该过热保护电路就有结构简单，成本低廉，温度灵敏度高，功耗低等优点，适合集成与反激式开关电源芯片中。

附图说明

图1是本实用新型一实施例的电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型做进一步说明。

请参照图1，本实施例提供一种应用于反激式开关电源芯片的过热保护电路，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第一电阻R1、第一三极管Q1和第一比较器U1，所述第一MOS管M1的源极、第二MOS管M2的源极分别与内部电源VDD连接，所述第一MOS管M1的栅极、第二MOS管M2的栅极分别与偏置电压Vbias连接，所述第一MOS管M1的漏极与第一三极管Q1的集电极连接，所述第一三极管Q1的基极分别与第二MOS管M2的漏极、第一电阻R1的一端及第一比较器U1的正输入端连接，所述第一三极管Q1的发射极、第一电阻R2的另一端接地，所述第一比较器U1的负输入端与参考电压Reference Voltage连接，所述第一比较器U1的输出端作为逻辑输出端logic。

其中，偏置电压Vbias是从带隙基准电压源中取出的偏置电压，为第一MOS管M1和第二MOS管M2提供恒定的电流。当芯片正常工作时，A点的电压大于参考电压Reference Voltage，逻辑输出端logic输出高电平，打开开关功率管；当芯片的工作温度上升，第一三极管Q1的Vbe电压减小，A点电压随之减小，当芯片的工作温度大于阈值温度，A点电压小与参考电压Reference Voltage，逻辑输出端logic输出低电平，关断开关功率管。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。