[实用新型]用于在CVD或PVD反应器的过程室中固持至少一个基材的设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于在CVD或PVD反应器的过程室中固持至少一个基材的设备，在该反应器的平坦的顶侧上具有至少一个被至少一个定位边限定的支承兜孔，以便容纳至少一个基材，其中，支承兜孔具有支承兜孔底部，从支承兜孔底部开始在其限定了至少一个定位边的边缘附近突伸出支承凸起，支承凸起构成被侧壁围绕的支承面/支承区，支承面/支承区位于支承平面中，支承平面相对于围绕支承凸起的槽的底部比相对于支承兜孔底部具有更大的垂直间距。

背景技术

文献US 2003/0209326A1描述了一种基座，其带有分别用于容纳基材的支承兜孔。每个支承兜孔都具有支承兜孔底部。该底部延伸至定位边，定位边定义了支承兜孔的边缘。在定位边附近在支承兜孔底部的不同周向位置上设置隆起，支承凸起从隆起突伸出来，支承凸起与端面一起构成支承面，基材的底侧支承在支承面上，从而使基材中空地位于支承兜孔中。

由文献US 2014/0287142 A1已知一种基座，其中，平行于边缘延伸的肋条突伸出支承兜孔的底部，基材的边缘支承在肋条上。

由文献US 5,645,647已知一种基座，其中，由定位边限定出用于基材的支承空间。

文献DE 10 2012 108 986A1描述了一种CVD设备的基材固持器，该基材固持器由带有顶侧和底侧的扁平圆盘构成。顶侧具有兜孔状的结构。每个这种结构构成分别用于圆形基材的支承空间。顶侧的支座的边缘区段构成定位边，分别用于大量布置在基材固持器的顶侧上的基材的定位。基材的边缘靠在与定位边相邻的、零散的支承凸起上。支承凸起的伸进支承空间的支承面中的区段被沟槽围绕。支座具有三角形的底面轮廓，相互间隔并且能够以六角形的布置方式定位基材。

文献DE 20 2015 118 215描述了一种基座，其中，沟槽沿支座的定位边延伸，从沟槽中突伸出支承凸起。该处还描述了被环形槽围绕的支承凸起，其中，环形槽具有横截面倒圆的弧，该弧在构成侧壁的情况下向用于支承基材的支承面无曲折点地过渡。

根据本实用新型的基座尤其应用在CVD反应器中，基材在该处构成过程室的底部。基座自下部、例如通过热辐射被加热。通过热传导实现向基座的顶侧的辐射热，在该顶侧上，基材伸入此处布置的支承兜孔中。在基座的顶侧上方具有过程室，该过程室的顶盖由进气机构构成。进气机构的面向基座的排气面具有与基座的表面温度不同的温度。排气面与基座顶侧之间的温度差可以为几百摄氏度，从而由于基座与进气机构之间形成的温度梯度产生自基座向进气机构非常高的热流。由于该热流构成基座内部的垂直的温度梯度，然而在支承兜孔的区域中也构成垂直的温度梯度。基材中空地位于支承兜孔的底部上方的区域中的热流和基材贴靠在支承凸起的支承面上的区域中的热流是不同的。此外，还存在自定位边向基材的垂直的热量输入。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供措施，以便使待涂覆的基材的表面上的水平温度梯度最小化并且使横向的温度曲线均匀化。