[实用新型]用于在CVD或PVD反应器的过程室中固持至少一个基材的设备

权利要求书

1.一种用于在CVD或PVD反应器的过程室中固持至少一个基材(20)的设备，在所述反应器的平坦的顶侧上具有至少一个被至少一个定位边(3)限定的、用于容纳至少一个基材(20)的支承兜孔(2)，其中，所述支承兜孔(2)具有支承兜孔底部(4)，在定位边(3)附近从所述支承兜孔底部突伸出支承凸起(8)，所述支承凸起构成被侧壁(10)围绕的支承面(9)，所述支承面位于支承平面(E)中，所述支承平面相对于围绕支承凸起(8)的槽(5)比相对于支承兜孔底部(4)具有更大的垂直间距，其特征在于，所述槽(5)在凹陷(11)中延伸，所述凹陷的垂直水平面位于所述槽(5)的底部(6)与所述支承兜孔底部(4)之间。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，支承凸起(8)和/或围绕支承凸起(8)的槽(5)具有相对于所述定位边(3)的水平间距。

3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述槽(5)与定位边(3)之间的水平间距被凹陷(11)的第一区段(16)填充。

4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，设有凹陷(11)的连接在第一凹陷区段(16)上的、邻接定位边(3)的第二区段(17)。

5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，第一凹陷区段(16)和第二凹陷区段(17)连同与第一凹陷区段(16)相对置的第三凹陷区段(18)一起无中断地围绕槽(5)。

6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，支承凸起(8)被基材(20)的边缘完全覆盖。

7.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，支承面(9)的中点相对于定位边(3)间隔至少4mm。

8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，支承面(9)是直径最大为0.7mm或最大为0.5mm的平面(E)。

9.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，在横截面中倒圆的侧壁(10)向支承面(9)无曲折点地过渡。

10.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，在横截面中倒圆的侧壁(10)自支承面(9)向槽(5)的槽底部(6)无曲折点地过渡。

11.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，槽底部(6)由倒圆的切口的顶点构成，所述切口在构成倒棱(15)或倒圆的情况下向凹陷底部(12)过渡。

12.根据权利要求11所述的设备，其特征在于，凹陷底部(12)是平行于支承面(9)延伸的平面。

13.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，支承兜孔(2)具有至少六个沿周向在圆弧线上均匀间隔的支承凸起(8)。

14.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，支承面(9)与支承兜孔底部(4)之间的垂直间距(D₁)为400μm，支承面(9)与凹陷底部(12)之间的垂直间距(D₂)为500μm，并且支承平面(E)与槽底部(6)之间的垂直间距(D₃)为700μm。

15.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，支承面(9)是直径最大为0.3mm的平面(E)。