[实用新型]电池膜外观的检测系统有效
申请号: | 201620916164.3 | 申请日: | 2016-08-19 |
公开(公告)号: | CN206271666U | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 李士刚;戚运东;孟庆凯 | 申请(专利权)人: | 山东新华联新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 韩建伟,张永明 |
地址: | 252000 山东省聊城*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 外观 检测 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子技术应用领域,具体而言,涉及一种电池膜外观的检测系统。
背景技术
为了降低环境污染、二氧化碳CO2温室气体的排放,太阳能产业已成为每个国家的战略要求。目前,光伏市场的产品分为晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池,与晶硅太阳能电池相比,薄膜太阳能电池具有价钱低、污染低、灵活性高、弱光效应好、适合大面积地区使用等优点。
在太阳能薄膜电池芯片生产过程中,物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,简称PVD)背电极膜层是整个工艺过程中必不可少的一道工序,在现有的生产工艺条件下,由于生产环境,人为原因、溅射靶材的材料和设备等原因,导致PVD沉积的薄膜存在脱膜、脏污、镀膜不良等瑕疵现象,其严重影响产品质量,增加生产成本。
现在生产过程中针对这些表面瑕疵的检测及处理包括:靠人工肉眼检测,即,为了保证生产节拍又由于产品表面光的反射等原因对于大尺寸的电池芯片都需要两个人同时去对每一片产品进行检测;
但这种全凭肉眼的检测方式存在很大的误差及误判,不能及时准确的判断出产品的瑕疵而且还是对人力及劳动成本的一种浪费,并且生产效率低而且保证不了产品的质量;同时,对于已经流入下一工序的不良芯片,返工流程复杂,将产生额外的生产成本。
针对上述由于相关技术中需要人工检测电池膜的外观是否存在瑕疵,导致检测效率低误差大的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种电池膜外观的检测系统,以至少解决由于相关技术中需要人工检测电池膜的外观是否存在瑕疵,导致检测效率低误差大的技术问题。
根据本实用新型实施例的一个方面,提供了一种电池膜外观的检测系统,位于物理气相沉积PVD设备出料口处,检测系统包括:拍照设备、检测光源和图像处理设备,其中,检测光源,位于待检测位置,用于对位于待检测位置的待检测电池膜提供补充光源;拍照设备,位于待检测位置的水平上方,用于采集补充光源后的待检测电池膜的外观图像;图像处理设备,与拍照设备连接,用于判断拍照设备采集的上述外观图像是否与预设图像标准匹配。
可选的,检测光源位于待检测电池膜水平下方,用于通过补充光源透射待检测电池膜。
进一步地,可选的,检测光源包括:发光二极管LED线性聚光冷光源。
可选的,拍照设备,通过数据传输线与图像处理设备连接,用于将由电信号转换为数字信号的外观图像发送至图像处理设备。
进一步地,可选的,拍照设备包括:电荷耦合元件CCD相机,其中,CCD相机包括:CCD控制芯片、感光元件、光电二极管、放大器和模/数A/D转换器,其中,CCD控制芯片,分别与感光元件和光电二极管连接,用于通过感光元件控制光电二极管产生的电信号;光电二极管,用于在收到检测光源的光线后,触发产生电信号;放大器,与光电二极管连接,用于放大电信号;A/D转换器,与放大器连接,用于将电信号转换为数字信号。
可选的,检测系统还包括:电动机,其中,电动机,与拍照设备连接,用于控制拍照设备依据待检测电池膜的运动方向进行往返运动。
进一步地,可选的,电动机包括:伺服电机。
可选的,图像处理设备包括:数据判断装置和数据结果传输装置,其中,数据判断装置,与拍照设备连接,用于获取外观图像,并判断外观图像是否与预设图像标准是否匹配;数据结果传输装置,与数据判断装置连接,用于输出数据判断装置的判断结果。
进一步地,可选的,图像处理设备还包括:数据控制装置,其中,数据控制装置,与数据结果传输装置连接,用于控制与拍照设备连接的电动机;或,依据判断结果生成外观图像的数据报告明细。
可选的,检测系统还包括:报警设备,其中,报警设备,与图像处理设备连接,用于在外观图像与预设图像标准不匹配的情况下,发送报警信号。
进一步地,可选的,报警设备至少包括:光电报警装置,和/或,声音报警装置。
可选的,光电报警装置包括:发光二极管LED报警器。
可选的,声音报警装置包括:蜂鸣器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造