[实用新型]一种电流转移型高压直流断路器

权利要求书

1.一种电流转移型高压直流断路器，其特征在于，包括：断流 开关、上直流母线、下直流母线和n个通流开关组，n为不小于2的 整数，

其中，各所述通流开关组的一端与所述上直流母线连接，另一端 与所述下直流母线连接，各所述通流开关组包括串联的一上通流开关 和一下通流开关，其中x个所述通流开关组的上通流开关和下通流开 关的公共端与外界的换流器部连接，其余所述通流开关组的上通流开 关和下通流开关的公共端与对应的外接直流线路连接，x为大于0且 小于n的整数；

所述断流开关的一端与所述上直流母线连接，另一端与所述下直 流母线连接。

2.根据权利要求1所述的电流转移型高压直流断路器，其特征 在于，所述上通流开关包括：第一隔离开关、第一避雷器和第一开关 管部，其中，所述第一隔离开关的一端与所述上直流母线连接，所述 第一隔离开关的另一端与所述第一避雷器的一端连接，所述第一避雷 器的另一端与所述下通流开关连接，所述第一开关管部和所述第一避 雷器并联；

所述下通流开关包括：第二隔离开关、第二避雷器和第二开关管 部，其中，所述第二隔离开关的一端与所述下直流母线连接，所述第 二隔离开关的另一端与所述第二避雷器的一端连接，所述第二避雷器 的另一端与所述上通流开关连接，所述第二开关管部和所述第二避雷 器并联。

3.根据权利要求2所述的电流转移型高压直流断路器，其特征 在于，所述第一开关管部包括第一IGBT组，所述第一IGBT组包括m 个依次串联的第一IGBT单元，所述第一IGBT单元包括一个IGBT和 一个与该IGBT反向并联的二极管，各所述IGBT的发射极和临近的 IGBT的集电极连接，其中，第一个所述第一IGBT单元的IGBT的集 电极与所述第一隔离开关连接，第m个所述第一IGBT单元的IGBT 的发射极与所述下通流开关连接，m为大于0的整数。

4.根据权利要求2所述的电流转移型高压直流断路器，其特征 在于，所述第二开关管部包括第二IGBT组，所述第二IGBT组包括m 个依次串联的第二IGBT单元，所述第二IGBT单元包括一个IGBT和 一个与该IGBT反向并联的二极管，各所述IGBT的发射极和临近的 IGBT的集电极连接，其中，第一个所述第二IGBT单元的IGBT的集 电极与所述上通流开关连接，第m个所述第二IGBT单元的IGBT的 发射极与所述第二隔离开关连接，m为大于0的整数。

5.根据权利要求2所述的电流转移型高压直流断路器，其特征 在于，所述第一开关管部包括第一半H桥组，所述第一半H桥组包括 m个依次串联的第一半H桥电路，所述第一半H桥电路包括第一电容、 第三IGBT单元和第四IGBT单元，所述第三IGBT单元包括一个IGBT 和一个与该IGBT反向并联的二极管，所述第四IGBT单元包括一个 IGBT和一个与该IGBT反向并联的二极管，其中，在各第一半H桥 电路中，所述第三IGBT单元的IGBT的集电极和所述第四IGBT单元 的IGBT的发射极连接，所述第三IGBT单元的IGBT的发射极和所述 第一电容的一端连接，所述第四IGBT单元的IGBT的集电极和所述 第一电容的另一端连接，

其中，第一个所述第一半H桥电路的第三IGBT单元的IGBT的 集电极与所述第一隔离开关连接，第m个所述第一半H桥电路的所述 第三IGBT单元的IGBT的发射极与所述下通流开关连接，m为大于0 的整数，各所述第三IGBT单元的IGBT依次串联。