[发明专利]一种多畴垂直取向模式的液晶显示面板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种多畴垂直取向模式的液晶面板及其制作方法。

背景技术

液晶显示器具有低辐射、低功耗以及体积小等特点，逐渐成为显示器件的主流，广泛应用在手机、笔记本电脑、平板电视等产品上。

为了获得高视角以及高显示品质，通常的MVA(Multi-domain Vertical Alignment，多畴垂直配向)显示面板采用4畴(Domain)的显示结构。图1为现有的4畴MVA显示面板结构示意图，如图1所示，栅极线(Gate)101、数据线(Data)102、公共电极线(Com)103、薄膜晶体管(TFT)104、像素电极(ITO)105构成一个基本的像素结构。其中像素电极设计成具有切口106的结构，将像素电极切分成多个区域，配合彩膜(CF)基板上的配向突起物(Protrusion)，从而形成4畴的显示结构。在该显示结构中，公共电极和像素电极形成存储电容，用于保持像素电压和降低馈通(Feed Through)电压。增加存储电容有助于提高显示品质，但增加公共电极面积会降低透过率。

现有技术的不足在于：不能同时提高显示面板的显示品质和透过率。

发明内容

针对上述技术问题，本发明提供了一种多畴垂直取向模式的液晶显示面板，其包括阵列基板，所述阵列基板上设置有多个像素单元，其中每个像素单元内设置有薄膜晶体管、耦合电容配线和公共电极配线，

每个像素单元包括具有第一子像素电极的第一子像素单元和具有第二子像素电极的第二子像素单元，第一子像素电极和第二子像素电极分别与所述公共电极配线形成存储电容；

在每一个像素单元中，所述第一子像素电极配置成与薄膜晶体管的漏极电性连接，且与所述耦合电容配线电性连接；所述第二子像素电极配置成与所述耦合电容配线形成耦合电容；

所述公共电极配线覆盖所述像素单元的整个像素区域，所述公共电极配线在所述第二子像素电极下方设有用于容纳所述耦合电容配线的镂空区域，所述耦合电容配线与所述公共电极配线绝缘，并且所述公共电极配线由透明导电层形成。

在一个实施例中，所述耦合电容配线由刻蚀后的透明导电层形成，且所述耦合电容配线与所述公共电极配线同层设置。

在一个实施例中，所述薄膜晶体管的栅极配线包括透明导电层和栅极金属。

在一个实施例中，所述薄膜晶体管的漏极连通有第一过孔，所述耦合电容配线连通有第二过孔，所述第一子像素电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电性连接，且所述第一子像素电极通过所述第二过孔与所述耦合电容配线电性连接。

在一个实施例中，还包括彩膜基板，所述彩膜基板上设置有脊状突起物。

在一个实施例中，所述阵列基板上的所述像素电极设置有切口。

在一个实施例中，所述第一子像素单元通过所述脊状突起物和/或切口形成分为多个畴区的所述第一显示区；所述第二子像素单元通过所述脊状突起物和/或切口形成分为多个畴区的第二显示区。

根据本发明的另一方面，还提供了一种多畴垂直取向模式的液晶显示面板的制作方法，包括以下步骤：

在衬底上沉积一层透明导电材料形成透明导电层后，连续沉积栅极金属形成栅极金属层；

采用多灰阶光罩工艺对透明导电层和栅极金属层进行刻蚀，像素区的栅极金属层刻蚀掉后露出的透明导电层形成公共电极配线和耦合电容配线，刻蚀后的薄膜晶体管区的透明导电层和栅极金属层形成双层结构的栅极配线；其中，所述公共电极配线在所述第二子像素电极下方设有用于容纳所述耦合电容配线的镂空区域，所述耦合电容配线与所述公共电极配线绝缘；

沉积一层栅极绝缘材料形成栅极绝缘层；

进行半导体层工艺和源漏极工艺，形成有源层、数据线和源漏极后，沉积一层钝化材料形成钝化层；

进行过孔工艺，其中，所述漏极连通有第一过孔，所述耦合电容配线连通有第二过孔，使得所述第一子像素电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电性连接，且通过所述第二过孔与所述耦合电容配线电性连接；

在所述钝化层上的像素区利用透明导电材料形成至少两个独立的子像素电极，每一个子像素电极分别与所述公共电极配线形成一个存储电容，第二子像素电极配置成与所述耦 合电容配线形成耦合电容。

在一个实施例中，所述多灰阶光罩工艺包括：

利用半透过的膜进行半曝光；

或，制作出曝光机解析度以下的微缝，通过该微缝部位遮住一部份的光源，以达成半曝光效果。