[发明专利]铍-铜铬锆连接界面缺陷超声检测的破坏性定标方法有效

专利信息
申请号: 201611249931.0 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN108254446B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 李前;谌继明;王平怀;李宗秦;吴继红 申请(专利权)人: 核工业西南物理研究院
主分类号: G01N29/30 分类号: G01N29/30
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 高安娜
地址: 610041 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 铜铬锆 连接 界面 缺陷 超声 检测 破坏性 定标 方法
【权利要求书】:

1.一种铍-铜铬锆连接界面缺陷超声检测的破坏性定标方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)制造参考试块,将被测部件以及参考试块放入水池

参考试块与被测工件的材质、焊接工艺、热处理状态、厚度均相同,具有相同的声学参数,其底部从铜侧加工平底孔,垂直通到铍-铜铬锆热等静压连接复合界面;

2)相控阵检测仪器连接参考试块,输入被检材料的尺寸,检测波型设置为纵波;

3)电子扫查参考试块,超声波的聚焦形式为点聚焦,聚焦深度为铍的厚度;

4)在检测时,设置3个门限

第一门限用于采集水和铍之间的界面反射波,接收高度为满屏15%以上的水铍界面反射回波;

第二门限用于采集铍铜界面的反射波用于制作C扫图,第二门限接收的是大于5%的铍铜界面反射回波;

第三门限同时采集水铍界面反射波和铍铜界面反射波用于制作B扫图和A扫图,第三门限接收的是水铍界面和铍铜界面大于3%的反射回波;

5)检测参考试块

使用的探头挪到参考试块上方15~20mm处,调节探头角度使水铍界面反射回波最高;

6)从C扫图中看出2mm平底孔所在位置的缺陷反射波高高于正常界面后,检测被测部件;

7)使用相控阵检测仪器同时检测被测部件和参考试块,探头角度调节方式与单独检测参考试块时相同;

8)使用C扫图找出反射回波波高大于2mm平底孔反射波高的部分,即为缺陷的位置,然后使用C扫图找出缺陷位置附近周围反射波高最低的位置,这些位置包围起来的部分即是缺陷的大小。

2.如权利要求1所述的铍-铜铬锆连接界面缺陷超声检测的破坏性定标方法,其特征在于:所述的步骤2)中的探头频率为10~15MHz,探头晶片个数为128个,晶片宽度为0.45~0.5mm,晶片间距为0.05~0.07mm,晶片长度为8~10mm。

3.如权利要求1所述的铍-铜铬锆连接界面缺陷超声检测的破坏性定标方法,其特征在于:所述步骤2)中使用的耦合剂为水,水深设置为15~18mm,水密度为1.0×103kg·m-3,速度为1488m·s-1

4.如权利要求1所述的铍-铜铬锆连接界面缺陷超声检测的破坏性定标方法,其特征在于:所述步骤3)和扫查时,模拟增益设置为29.9dB,数值增益设置为3dB, 重复接收频率设置为3kHz,扫查速度为30mm·s-1

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