[发明专利]一种用于阵列基板的测试电路及制作方法在审
申请号: | 201611244572.X | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106782241A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 马亮;赵莽 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/00 | 分类号: | G09G3/00;H01L23/544 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人: | 吴大建 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 阵列 测试 电路 制作方法 | ||
技术领域
本发明属于液晶显示器测试技术领域,具体的说,尤其涉及一种用于阵列基板的测试电路及制作方法。
背景技术
液晶显示器由于其轻薄化和低功耗等优点,是目前市场中的主流显示装置。在液晶显示面板的生产过程中,其阵列基板所有工艺完成之后会有阵列测试过程来检查面板的GOA及AA区的工作情况。
在阵列测试过程中,需要通过阵列测试焊盘对液晶面板施加外加信号。如果外加信号的电流过大会烧伤或者炸伤器件,引起液晶面板不良。虽然可以通过控制外加信号的大小来减少外加信号的电流,但在液晶面板设计中也会出现电流过大需要保护器件的期间,通常会在阵列测试焊盘之外设置一定阻值的绕线电阻。通常绕线电阻越大,对阵列测试的保护能力越强。
发明内容
本发明提供了一种用于阵列基板的测试电路及制作方法,可以充分利用三维空间,利用多层金属的换线方式提升绕线电阻的阻值。
根据本发明的一个方面,提供了一种用于阵列基板的测试电路,包括用于连接阵列测试焊盘和阵列静电测试部的绕线电阻,其中,
所述绕线电阻由设置于基板上的位于两个不同层的金属绕线连接形成。
根据本发明的一个实施例,位于两个不同层的金属绕线连接于所述绕线电阻所在区域的中间位置。
根据本发明的一个实施例,还包括:
设置于基底上的第一绝缘层;
设置于所述第一绝缘层上的第一金属绕线;
设置于所述第一金属绕线和裸露的第一绝缘层上的第二绝缘层;
设置于所述第二绝缘层上的第二金属绕线,
其中,所述第一金属绕线和所述第二金属绕线通过贯通所述第二绝缘层的过孔连通,所述过孔对应位于所述第一金属绕线和所述第二金属绕线的连接处。
根据本发明的一个实施例,还包括:
设置于基底上的第一绝缘层;
设置于所述第一绝缘层上的第一金属绕线;
设置于所述第一金属绕线和裸露的第一绝缘层上的第二绝缘层;
设置于所述第二绝缘层上的第二金属层,其中,所述第二金属层与所述第一金属绕线通过贯通所述第二绝缘层的第一过孔连通;
设置于所述第二金属层和裸露的第二绝缘层上的第三绝缘层;
设置于所述第三绝缘层上的第二金属绕线,其中,所述第二金属绕线与所述第二金属层通过贯通所述第三绝缘层的第二过孔连通,所述第二金属层对应所述第一金属绕线和所述第二金属绕线的连接处。
根据本发明的一个实施例,所述第一金属绕线连接阵列测试焊盘,所述第二金属绕线连接阵列静电测试部。
根据本发明的一个实施例,所述第一金属绕线连接阵列静电测试部,所述第二金属绕线连接阵列测试焊盘。
根据本发明的另一个方面,还提供了一种用于制作阵列基板的测试电路的方法,包括以下步骤:
在基底上沉积绝缘材料以形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上沉积金属材料并进行处理以形成第一金属绕线;
在所述第一金属绕线和裸露的第一绝缘层上沉积绝缘材料以形成第二绝缘层,并在预定位置蚀刻过孔;
在所述第二绝缘层上沉积金属材料并进行处理以形成第二金属绕线,所述第一金属绕线和所述第二金属绕线通过所述过孔连通。
根据本发明的一个实施例,所述预定位置设置在由所述第一金属绕线和所述第二金属绕线形成的绕线电阻所在区域的中间位置。
根据本发明的再一个方面,还提供了一种用于制作阵列基板的测试电路的方法,包括:
在基底上沉积绝缘材料以形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上沉积金属材料并进行处理以形成第一金属绕线;
在所述第一金属绕线和裸露的第一绝缘层上沉积绝缘材料以形成第二绝缘层,并在所述第二绝缘层上的预定位置蚀刻第一过孔;
在所述第二绝缘层上的预定位置处形成第二金属层,并通过所述第一过孔连通所述第二金属层和所述第一金属绕线;
在所述第二金属层和裸露的第二绝缘层上形成第三绝缘层,并在对应所述预定位置处蚀刻第二过孔;
在所述第三绝缘层上沉积金属材料并进行处理以形成第二金属绕线,所述第二金属绕线通过所述第二过孔连通所述第二金属层。
根据本发明的一个实施例,所述预定位置设置在由所述第一金属绕线和所述第二金属绕线形成的绕线电阻所在区域的中间位置。
本发明的有益效果;
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