[发明专利]包括量子点的发光设备

权利要求书

1.一种发光设备，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；和

提供在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，

其中所述发光层包括量子点，所述量子点包括：

包含至少一种第一正离子前体和至少一种负离子前体的核芯，

包括至少一种第二正离子前体和至少一种负离子前体并且包裹所述核芯的壳，和

形成在所述壳的表面上的配体，

其中所述第一正离子前体是第n周期元素并且所述第二正离子前体是第(n-1)周期元素，其中n是3至6的整数，

所述发光设备进一步包括设置在所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输层，和设置在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输层，

其中所述空穴传输层、所述电子传输层和所述发光层的所述量子点的所述核芯包括相同的无机材料，

其中所述空穴传输层包括所述核芯中包括的化合物的p-型掺杂化合物，所述p-型掺杂化合物掺杂有金属、非金属或卤素元素，并且

所述电子传输层包括所述核芯中包括的化合物的n-型掺杂化合物，所述n-型掺杂化合物掺杂有金属、非金属或卤素元素。

2.如权利要求1所述的发光设备，其中所述壳的最高占据分子轨道能级和最低未占分子轨道能级与所述核芯的最高占据分子轨道能级和最低未占分子轨道能级的差异分别等于或小于2.0eV。

3.如权利要求2所述的发光设备，其中

所述第一正离子前体包括Al、Fe、Co、Cu、Zn、Ga、In、Ag、Pb、Bi和Tl中的至少一种。

4.如权利要求3所述的发光设备，其中

所述负离子前体包括Te、I、O、S、Se、N、P、As和Sb中的至少一种。

5.权利要求4所述的发光设备，其中

所述核芯包括PbI₂、BiI₃、Fe₂O₃、CoO、CuO、Cu₂O、AgO、Ag₂O、CuS、Cu₂S、Ag₂S、In₂S₃、Bi₂S₃、CuSe、Cu₂Se、AgSe、Ga₂Se₃、In₂Se₃、TlSe、Cu₂Te、ZnTe、Cu₃N、Zn₃P₂、GaP、InP、AlAs、GaAs和AlSb中的至少一种。

6.如权利要求5所述的发光设备，其中

所述发光设备进一步包括阻挡层，并且

所述阻挡层提供在空穴传输层和发光层之间和/或发光层和电子传输层之间。

7.如权利要求6所述的发光设备，其中

所述阻挡层包括基于第一族金属的卤化物化合物或基于第二族金属的卤化物化合物，其中所述阻挡层的厚度是0.5nm至5nm。