[发明专利]发光器件有效
申请号: | 201611241562.0 | 申请日: | 2012-01-20 |
公开(公告)号: | CN106848023B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 罗珉圭;金省均;金明洙 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/14 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;李玉锁 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
本发明公开了一种发光器件及背光单元,该发光器件包括:透光衬底;发光结构,设置在所述透光衬底上,包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层;导电层,设置在所述第二导电类型半导体层上;第一电极部,设置在所述导电层上,具有至少一预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触;以及第一绝缘层,设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间以及所述有源层与所述第一电极部之间。本发明的发光器件能够增强照明效率和照明强度。
本申请是申请日为2012年1月20日,申请号为201210022699.2发明名称为“发光器件及背光单元”的发明专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求享有在2011年1月27号递交的韩国专利申请第10-2011-0008200号的优先权,在此通过参考整体引入该申请的全部内容,如同在本文中进行了全文描述一样。
技术领域
本发明的实施例可涉及一种发光器件以及一种发光器件封装。
背景技术
发光二极管(LED)为这样一种半导体,其使用化合物半导体的特性,在将电转换成红外线或光之后被用作光源或用于发送和接收信号。
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体由于其物理和化学特性已经在发光器件(例如发光二极管(LED)或激光二极管)的核心材料中占据主导。
发光二极管(LED)具有良好的环保特性(eco-friendliness),这是由于其不包括对环境造成危险的有害物质,例如用于传统照明系统(包括白炽灯或荧光灯)的汞(Hg)。因而,由于具有长使用寿命和低功耗特性的优点,发光二极管(LED)已经取代了传统光源。
发明内容
因此,本发明实施例可提供一种能够增强照明效率以及照明强度的发光器件。
在一个实施例中,发光器件包括:透光衬底;发光结构,设置在所述透光衬底上,包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层;导电层,设置在所述第二导电类型半导体层上;第一电极部,设置在所述导电层上,该第一电极部具有至少一预定区域,该预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触;以及第一绝缘层,设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间和所述有源层与所述第一电极部之间。该发光器件还可包括第二电极部,设置在所述导电层上。
所述第一电极部可包括:第一焊盘部,设置在所述第一绝缘层上;第一延伸部,设置在所述第一绝缘层上,从所述第一焊盘部延伸出去;至少一个第一接触电极,连接到所述第一延伸部,穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触。
在另一个实施例中,发光器件可包括:衬底;发光结构,设置在所述衬底上,该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层;导电层,设置在所述第二导电类型半导体层上;第一电极部,设置在所述导电层上,该第一电极部具有至少一预定区域,该预定区域穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触;第一绝缘层,设置在所述导电层与所述第一电极部之间、所述第二导电类型半导体层与所述第一电极部之间以及所述有源层与所述第一电极部之间;第二电极部,设置在所述导电层上;以及第二绝缘层,设置在所述导电层与所述第二电极部之间,其中所述第二电极部的至少一预定区域穿过所述第二绝缘层而与所述导电层相接触。
所述第一电极部可包括:第一焊盘部,设置在所述第一绝缘层上;第一延伸部,设置在所述第一绝缘层上,从所述第一焊盘部延伸出去;以及至少一个第一接触电极,连接到所述第一延伸部,穿过所述导电层、所述第二导电类型半导体层以及所述有源层而与所述第一导电类型半导体层相接触。
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