[发明专利]基于动态视觉传感器芯片的光电式接近传感器及探测方法有效

专利信息
申请号: 201611240612.3 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN106597463B 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 胡燕翔 申请(专利权)人: 天津师范大学
主分类号: G01S17/08 分类号: G01S17/08;G01S7/48
代理公司: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 代理人: 李成运
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 基于 动态 视觉 传感器 芯片 光电 接近 探测 方法
【权利要求书】:

1.光电式接近传感器的探测方法,其特征在于,使用DVS传感器作为光电感应器件,对可控光源发出的光束经物体反射后产生的光强变化信息进行采样,根据光强变化的空间位置和时序分布特征计算物体间的距离;

具体步骤为:

(1)控制处理单元存储标准光源强度变化特征;按预设时长同步开启可控光源和DVS传感器;保存DVS的AE流;

(2)空间位置计算,获取最大三个可能的反射位置点P;

(3)按照最大可能点的位置,计算其周边预定义区域内的强度特征向量;

(4)比较最大可能点与光源的强度变化特征,如匹配,至步骤(6);

(5)选取下一个最大可能点,返回步骤(4);如果最大三个可能点均不匹配,返回步骤(2)或结束;

(6)计算距离并与临界值进行比较,若小于临界值则报警,否则返回步骤(2)或结束;

步骤(2)所述获取最大三个可能的反射位置点P的具体方法为:

(201)使用DVS进行一次采样;将此时段内所有“正”事件按照其位置集成为一幅图像M,所述图像M具有与DVS像素阵列相同的大小,初值为0;

(202)读入一个AE事件,若极性为负,丢弃;

(203)按此事件的地址(x,y):M(x,y)=M(x,y)+1;

(204)返回(202),直至全部事件处理结束;

(205)对集成图像M的中间若干行按列进行累加;得到一个长度为N的一维数组;所述中间若干行的行数取值小于集成图像M的总行数;

(206)选择此数组中的最大3个值作为候选点;

所述步骤(3)所述计算强度特征向量的具体方法为:

(301)使用DVS对发射光束经物体表面的反射光进行采样;若在提取光源标准强度变化模式时,则应在无干扰的条件下进行;

(302)建立光源的一维特征数组Fea,数组长度为k*ΔT*10,即每毫秒划分为10个时间段;

其中光源的开启时间为ΔT毫秒,K与使用的光源种类有关,可取k=2或3,k*ΔT即为DVS采样时间;

(303)统计每个时间段内AE的数量累计Sum0~ k*ΔT*10-1

(304)对多次统计的结果进行算术平均消除噪声影响;

(305)使用相邻时间段事件和的变化率来作为强度变化特征;

步骤(6)所述计算距离的方法为:

其中,L为DVS与光源的中心距,θ为发射光束与DVS平面的夹角,H为目标距离,h为发生光束与DVS中垂线的交点高度,Hmin为最小可探测距离,D为反射位置点与DVS中垂线间的距离,γ为DVS的视场角;

P是反射位置点。

2.根据权利要求1所述的探测方法,其特征在于,步骤(4)所述匹配比较的具体方法为:设光源的标准强度变化特征为FEAstd,反射目标的强度变化特征为FEAtest,则可采取以下快速匹配方法:

(401)基于差值比例的特征差异,模式误差定义为各分项误差比例的平均值;

(402)基于变化趋势的特征差异;

(403)特征匹配

当任一特征差异小于预定义阈值时认为反射光由光源产生,即为反射位置点。

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