[发明专利]一种具有自反馈自保护功能的宽压或稳压电源电路有效

专利信息
申请号: 201611239593.2 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN107222113B 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 卜春光;郭庆;李莹莹;刘壮华;樊鹏辉;于翔海 申请(专利权)人: 中国航天电子技术研究院
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217
代理公司: 11401 北京金智普华知识产权代理有限公司 代理人: 皋吉甫
地址: 100094*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 具有 反馈 保护 功能 稳压电源 电路
【权利要求书】:

1.一种具有自反馈自保护功能的宽压或稳压电源电路,其特征在于,该宽压或稳压电源电路包括输入保护电路,PWM信号控制及能量生成电路,汇流电路和输出反馈通断PWM控制电路;

所述输入保护电路,用于完成输入电源电压的开启及关断控制,可在后级输出电压稳定输出时切断电源输入,防止高压接入后级电路;

所述PWM信号控制及能量生成电路,用于采集自举输出电压来动态调节PWM信号控制及能量生成电路中开关器件的开启和关闭时间,并生成交流信号,将电源输入能量传递转换输出至电压反馈电路,并将动态反馈电压信号反馈至PWM控制电路,以实现PWM信号振荡及占空比动态调整;

所述汇流电路,用于将经过压保护电路的输入电压与输出电路的输出电压汇流后作为PWM控制电路供电,同时通过储能电容防止瞬态干扰造成的过压及欠压保护;

所述输出反馈通断PWM控制电路,用于使高压输入信号不传输至PWM控制电路的输入端;而在初始加电情况下输出电压为低电平,关闭光耦,输入电压为后级电路供电。

2.根据权利要求1所述的宽压或稳压电源电路,其特征在于,所述输入保护电路包括热敏电阻F1、PMOS管V1、稳压管V3、电阻R13、NPN三极管Q2、限流电阻R10、限流电阻R12和TVS二极管V4;

其中,所述热敏电阻F1一端与VIN输入端连接,另一端与PMOS管V1的源极连接,稳压管V3并联于PMOS管V1的源极与栅极之间,所述电阻R13串联于PMOS管V1的栅极与GND之间;所述PMOS管V1的漏极与NPN三极管Q2的集电极连接,所述电阻R10与电阻R12串联后并联于NPN三极管Q2的集电极与基极之间,所述NPN三极管Q2的发射极与二极管D6的阳极连接。

3.根据权利要求2所述的宽压或稳压电源电路,其特征在于,所述PWM信号控制及能量生成电路包括控制芯片U18、MOS管Q1、电容C3、电容C22、二极管D2、互感L1、互感L2、电容C5、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和功率电阻R6;

其中,所述控制芯片U18的输出控制脚DR接MOS管Q1的栅极,开关频率控制管脚FA/SD连接R1下拉到GND,补偿管脚COMP通过电容C3与R3连接至GND,并通过C22连接至GND,反馈采样脚FB接反馈电阻R2与R4的中点,电流采样管脚ISEN通过限流电阻连接至MOS管Q1的源极,MOS管Q1的源极经功率电阻R6连接至GND,互感L1一端接输入电压VIN,一端接N型MOS管Q1的漏极及耦合电容C5的输入端,MOS管Q1的源极接地、栅极接控制芯片U18控制脚,互感L2一端接耦合电容C5输出、一端接地,互感L1的接输入电压端为同名端,耦合电容C5输入端接MOS管Q1的漏极,输出端接输出电路中整流二极管D2的阳极;在PWM控制电路的控制下,周期性开启/关闭MOS管Q1,使得在互感L1两端产生交流信号,该信号经互感及耦合电容的耦合作用,在互感L2的1脚输出端产生同样频率的交流信号,送至输出电路,二极管D2阳极接互感L2的输出,阴极接储能滤波电容C2,通过二极管的整流作用将输入交流信号整流滤波输出二次电源VCC,并通过R2、R4组成的网络实现自举电压反馈至PWM控制电路,PWM控制电路反馈采样管脚FB接VCC经电阻R2与R4分压后的分压点,控制芯片U18实时采集输出电压反馈值,并将其与内部参考源对比,根据比较结果改变控制管脚DR输出的开关控制信号的占空比,从而控制MOS管Q1相应的开启或关闭时间。

4.根据权利要求3所述的宽压或稳压电源电路,其特征在于,所述汇流电路包括二极管D5、二极管D6和储能电容C4;

其中,所述二极管D6的阳极与NPN三极管Q2的发射极连接,所述二极管D6的阴极与所述二极管D5的阴极连接,所述二极管D5的阳极与输出电压VCC连接,所述储能电容C4一端接地,另一端与所述二极管D5和二极管D6的阴极连接。

5.根据权利要求4所述的宽压或稳压电源电路,其特征在于,所述输出反馈通断PWM控制电路包括TVS V2、电阻R8、电阻R9及光耦B1;

其中,所述电阻R8一端与VCC连接,另一端与所述TVS V2的阴极连接,所述TVS V2的阳极与所述光耦B1的第一针脚连接,所述光耦B1的第二针脚接地,所述光耦B1的第四针脚与电阻R9的一端连接,所述光耦B1的第三针脚与稳压管V3的阳极连接,所述电阻R9的另一端与PMOS管V1的源极连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航天电子技术研究院,未经中国航天电子技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611239593.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top