[发明专利]一种适用于RFID阅读器的信号放大频率补偿电路在审
申请号: | 201611222676.0 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN106849883A | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 胡建国;吴劲;吴江旭;王德明;段志奎 | 申请(专利权)人: | 广州中大微电子有限公司;广州华南物联网技术创新中心 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/45 |
代理公司: | 佛山帮专知识产权代理事务所(普通合伙)44387 | 代理人: | 胡丽琴 |
地址: | 510800 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 rfid 阅读器 信号 放大 频率 补偿 电路 | ||
技术领域
本发明涉及信号处理技术领域,尤其涉及一种用于RFID阅读器的信号放大频率补偿电路。
背景技术
射频识别(RadfoFrequencyIdentification,简称RFID)技术是一种非接触式的自动识别技术,它通过电磁波或电感祸合方式传递信号,以完成对目标对象的自动识别。与条形码、磁卡、接触式IC卡等其它自动识别技术相比,即RFID技术具有识别过程无须人工干预、可同时识别多个目标、信息存储量大、可工作于各种恶劣环境等优点。因此,RFID技术已经被广泛地应用于固定资产管理、生产线自动化、动物和车辆识别、公路收费、门禁系统、仓储、商品防伪、航空包裹管理、集装箱管理等领域。典型的射频识别系统可以分为标签、阅读器和后端数据处理系统三个部分。
RFID阅读器通过电磁感应的方式接收从卡片返回来的信号,因此该信号比较微弱,需要对其进行信号放大处理。在信号放大处理过程中,为了高精度地还原信号,需要运算放大器的开环增益达到10000以上,然而随着CMOS工艺特征尺寸的逐渐减小,单级放大器的增益也逐步降低,为了达到10000及以上的增益,需要将两个及以上的增益级级联。然而每个增益级都存在至少一个高阻节点,形成一个低频极点,这些低频极点会影响运算放大器本身的稳定性,因此需要对其进行频率补偿。同时还需要满足在RFID阅读器芯片中需要驱动较大的电容负载的要求。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,本发明提供了一种用于RFID阅读器的信号放大频率补偿电路,提高了单位增益带宽,同时能减小失调电压和获得更大的摆率,让环路更加稳定可靠和精确。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供一种用于RFID阅读器的信号放大频率补偿电路,所述信号放大频率补偿电路包括:偏置电路、第一级运算放大电路和第二级运算放大电路;
所述偏置电路用于为所述第一级运算放大电路和所述第二级运算放大电路工作提供与温无关的稳定电压;
所述第一级运算放大电路用于接收待放大信号频率,对所述待放大信号频率进行第一次运算放大处理,获取第一次放大信号频率;
所述第二级运算放大电路用于对第一次放大信号频率进行第二次运算放大处理,获取放大信号频率,将所述放大信号频率输出。
优选地,所述偏置电路包括:第一P型场效应管、第二P型场效应管、第一N型场效应管、第二N型场效应管和直流电源;其中,
所述第一P型场效应管漏极与所述直流电源一端连接,栅极与漏极连接,源极与电源连接;
所述第二P型场效应管漏极与所述第一N型场效应管漏极连接,栅极与所述第一P型场效应管连接,源极与电源连接;
所述第一N型场效应管漏极与所述第二P型场效应管漏极连接,栅极与漏极连接,源极与所述第二N型场效应管漏极连接;
所述第二N型场效应管漏极与栅极连接,源极接地;
所述直流电源一端与所述第一P型场效应管漏极连接,另一端接地。
优选地,所述第一级运算放大电路包括电容倍增电路和运算电路。
优选地,所述运算电路包括第三P型场效应管、第四P型场效应管、第五P型场效应管、第六P型场效应管、第七P型场效应管、第六N型场效应管、第八N型场效应管、第九N型场效应管和第十N型场效应管;其中,
所述第三P型场效应管漏极与第四P型场效应管源极连接,栅极与所述偏置电路中的第一P型场效应管栅极连接形成第一电流镜,源极与电源连接;
所述第四P型场效应管漏极与所述电容倍增电路连接,栅极与正待放大信号频率输入端连接,源极与所述第三P型场效应管漏极连接;
所述第五P型场效应管漏极与所述电容倍增电路连接,栅极与负待放大信号频率输入端连接,源极与所述第三P型场效应管漏极连接;
所述第六P型场效应管漏极与栅极连接,源极与电源连接;
所述第七P型场效应管漏极与所述第十N型场效应管漏极连接,栅极与所述第六P型场效应管栅极连接,源极与电源连接;
所述第六N型场效应管漏极与所述第九N型场效应管源极连接,栅极与所述电容倍增电路连接,源极接地;
所述第八N型场效应管漏极与所述第十N型场效应管源极连接,栅极与所述电容倍增电路连接,源极接地;
所述第九N型场效应管漏极与所述第六P型场效应管漏极连接,栅极与所述偏置电路的第一N型场效应管漏极连接,源极与所述第六N型场效应管漏极连接;
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