[发明专利]一种适用于RFID阅读器的信号放大频率补偿电路

权利要求书

1.一种用于RFID阅读器的信号放大频率补偿电路，其特征在于，所述信号放大频率补偿电路包括：偏置电路、第一级运算放大电路和第二级运算放大电路；

所述偏置电路用于为所述第一级运算放大电路和所述第二级运算放大电路工作提供与温无关的稳定电压；

所述第一级运算放大电路用于接收待放大信号频率，对所述待放大信号频率进行第一次运算放大处理，获取第一次放大信号频率；

所述第二级运算放大电路用于对第一次放大信号频率进行第二次运算放大处理，获取放大信号频率，将所述放大信号频率输出。

2.根据权利要求1所述的用于RFID阅读器的信号放大频率补偿电路，其特征在于，所述偏置电路包括：第一P型场效应管、第二P型场效应管、第一N型场效应管、第二N型场效应管和直流电源；其中，

所述第一P型场效应管漏极与所述直流电源一端连接，栅极与漏极连接，源极与电源连接；

所述第二P型场效应管漏极与所述第一N型场效应管漏极连接，栅极与所述第一P型场效应管连接，源极与电源连接；

所述第一N型场效应管漏极与所述第二P型场效应管漏极连接，栅极与漏极连接，源极与所述第二N型场效应管漏极连接；

所述第二N型场效应管漏极与栅极连接，源极接地；

所述直流电源一端与所述第一P型场效应管漏极连接，另一端接地。

3.根据权利要求1所述的用于RFID阅读器的信号放大频率补偿电路，其特征在于，所述第一级运算放大电路包括电容倍增电路和运算电路。

4.根据权利要求3所述的用于RFID阅读器的信号放大频率补偿电路，其特征在于，所述运算电路包括第三P型场效应管、第四P型场效应管、第五P型场效应管、第六P型场效应管、第七P型场效应管、第六N型场效应管、第八N型场效应管、第九N型场效应管和第十N型场效应管；其中，

所述第三P型场效应管漏极与第四P型场效应管源极连接，栅极与所述偏置电路中的第一P型场效应管栅极连接形成第一电流镜，源极与电源连接；

所述第四P型场效应管漏极与所述电容倍增电路连接，栅极与正待放大信号频率输入端连接，源极与所述第三P型场效应管漏极连接；

所述第五P型场效应管漏极与所述电容倍增电路连接，栅极与负待放大信号频率输入端连接，源极与所述第三P型场效应管漏极连接；

所述第六P型场效应管漏极与栅极连接，源极与电源连接；

所述第七P型场效应管漏极与所述第十N型场效应管漏极连接，栅极与所述第六P型场效应管栅极连接，源极与电源连接；

所述第六N型场效应管漏极与所述第九N型场效应管源极连接，栅极与所述电容倍增电路连接，源极接地；

所述第八N型场效应管漏极与所述第十N型场效应管源极连接，栅极与所述电容倍增电路连接，源极接地；

所述第九N型场效应管漏极与所述第六P型场效应管漏极连接，栅极与所述偏置电路的第一N型场效应管漏极连接，源极与所述第六N型场效应管漏极连接；

所述第十N型场效应管漏极与所述第七P型场效应管漏极连接，栅极与所述第九N型场效应管栅极连接，源极与所述第八N型场效应管漏极连接。

5.根据权利要求3所述的用于RFID阅读器的信号放大频率补偿电路，其特征在于，所述电容倍增电路包括第三N型场效应管、第四N型场效应管、第五N型场效应管、第七N型场效应管和第一电容；其中，

所述第三N型场效应管漏极与所述第五N型场效应管漏极连接，栅极与所述第四N型场效应管漏极连接，源极接地；

所述第四N型场效应管漏极与所述运算电路的第五P型场效应管漏极连接，栅极与所述第三N型场效应管漏极，源极接地；

所述第五N型场效应管源极与栅极连接，栅极与所述运算电路的第六N型场效应管漏极连接形成第二电流镜；

所述第七N型场效应管漏极与所述第四N型场效应管漏极连接，栅极与所述运算电路的第八N型场效应管漏极连接形成第三电流镜，源极接地；

所述第一电容一端与所述运算电路的第四P型场效应管漏极连接，另一端与所述第二级运算放大电路连接。

6.根据权利要求3或5所述的用于RFID阅读器的信号放大频率补偿电路，其特征在于，所述电容倍增电路用于提高直流增益，使次极点处于更高频率处，提升驱动容性负载的能力，同时提高单位增益带宽，减小失调电压和获得更大的摆率，让环路更加稳定可靠和精确。

7.根据权利要求1所述的用于RFID阅读器的信号放大频率补偿电路，其特征在于，所述第二级运算放大电路包括第八P型场效应管、第九P型场效应管、第十一N型场效应管和第二电容；其中，

所述第八P型场效应管漏极与所述第十一N型场效应管栅极连接，栅极与漏极连接，源极与所述偏置电路的第二N型场效应管栅极连接；

所述第九P型场效应管漏极与所述第十一N型场效应管漏极连接，栅极与所述第一级运算放大电路的第七P型场效应管漏极连接，源极与电源连接，所述放大信号频率从所述第九P型场效应管漏极输出；

所述第十一N型场效应管漏极与所述第九P型场效应管漏极连接，栅极与所述第九P型场效应管漏极连接，源极接地；

所述第二电容一端与所述第一级运算放大电路的第七P型场效应管漏极连接，另一端与所述第八P型场效应管栅极连接。