[发明专利]一种薄膜折射率获取方法及装置有效
申请号: | 201611221739.0 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN106711282B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 李璐;高杨;孙杰;罗小刚;高慧慧;杜灵 | 申请(专利权)人: | 江西瑞安新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 张红平 |
地址: | 338019 江西省新*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜参数 折射率 预设 薄膜 薄膜折射率 电压参数 太阳能电池技术 对照表 转化效率 辉光 电池 监控 发现 生产 | ||
本发明涉及一种薄膜折射率获取方法及装置,属于太阳能电池技术领域。所述方法应用于PECVD镀膜工艺中,所述方法包括:根据至少一个预设镀膜参数获得所述至少一个预设镀膜参数中的每个预设镀膜参数在辉光时的电压参数;根据电压与折射率对照表获得每个电压参数对应的折射率;根据获得的每个折射率和每个折射率相对应的预设镀膜参数占总镀膜参数的时间占比,利用折射率公式获得薄膜的总折射率,其中,所述总镀膜参数为所有的预设镀膜参数的总和。该方法可以提前预知薄膜的折射率情况,能及时发现问题,早做调整,具有监控的及时性,从而生产出的薄膜可以提高电池的转化效率。
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种薄膜折射率获取方法及装置。
背景技术
随着工农业和科技的发展,人民生活水平的不断提高,各种新能源的开发及利用已经成为了当今时代的主题。其中,包括对太阳能的开发及利用,例如采用太阳能电池板对太阳能的开发及利用。由于太阳能电池片中的薄膜的折射率直接影响到电池的效果。为了提高电池的钝化效果,降低对太阳光的反射,对薄膜的折射率有严格的要求,因此,生产双层膜、多层膜势在必行。其中,双层膜或多层膜中的每层薄膜的折射率直接影响其透光性和钝化效果,从而影响电池的短路电流(Short-circuit Current,ISC)和开路电压(Open-circuit Voltage,VOC),折射率的情况对于组件也有影响,例如薄膜的折射率要与组件钢化玻璃的折射率相匹配,这样才能让更多的光到达电池表面。现有技术仅能监控单层膜和双层膜或多层膜总的折射率,而不能测出双层膜或多层膜中的每层膜的折射率;同时,现有技术在获得薄膜的折射率时候,计算工序繁琐,效率低下,十分不便。但是,在生产中,监控双层膜或多层膜中的每层膜的折射率非常重要。
发明内容
鉴于此,本发明的目的在于提供一种薄膜折射率获取方法及装置,以有效地改善上述问题。
本发明的实施例是这样实现的:
一方面,本发明实施例提供了一种薄膜折射率获取方法,所述方法应用于PECVD镀膜工艺中,所述方法包括:根据至少一个预设镀膜参数获得所述至少一个预设镀膜参数中的每个预设镀膜参数在辉光时的电压参数;根据电压与折射率对照表获得每个电压参数对应的折射率;根据获得的每个折射率和每个折射率相对应的预设镀膜参数占总镀膜参数的时间占比,利用折射率公式获得薄膜的总折射率,其中,所述总镀膜参数为所有的预设镀膜参数的总和。
在本发明较佳的实施例中,所述的根据电压与折射率对照表获得每个电压参数对应的折射率的步骤之前,所述方法还包括:利用椭偏仪对不同预设参数下获得的薄膜的折射率进行测量;根据测得的不同预设参数下的薄膜折射率和对应该参数在辉光时的电压参数关系,获得电压与折射率对照表。
在本发明较佳的实施例中,所述的利用椭偏仪对不同预设参数下获得的薄膜的折射率进行测量的步骤包括:根据预设工艺获得每个预设参数对应的薄膜;利用椭偏仪对所述每个预设参数对应的薄膜的折射率进行测量。
在本发明较佳的实施例中,所述的根据预设工艺获得每个预设参数对应的薄膜的步骤包括:将加装有硅片的石墨舟放入PECVD镀膜工艺腔内,对所述PECVD镀膜工艺腔进行抽真空、压力调试、温度调试处理,根据输入的参数进行镀膜,镀膜工艺结束后,依次进行抽真空、循环吹扫及充氮气后,将所述石墨舟移出所述PECVD镀膜工艺腔内。
在本发明较佳的实施例中,所述折射率公式为:n=T1*n1+T2*n2+...+TN*nN,其中,n为薄膜总的折射率,n1为第一层薄膜的折射率,nN为第N层薄膜的折射率,T1为第一层镀膜时间占总镀膜时间的占比,TN为第N层镀膜时间占总镀膜时间的占比。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的