[发明专利]铜硒基固溶体热电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201611220103.4 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108238796B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 史迅;赵琨鹏;陈立东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/547 | 分类号： | C04B35/547;C04B35/626;C04B35/64;C04B35/653;C01B19/00;H01L35/16 |
| 代理公司： | 31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜硒 基固溶体 热电材料 制备 载流子 热电化合物 调控体系 功率因子 基化合物 六方结构 阴阳离子 空位 固溶 键能 | ||
【权利要求书】：
1.一种铜硒基固溶体热电材料，其特征在于，所述铜硒基固溶体热电材料为p型热电化合物，在室温下为六方结构，其通式为Cu2-xSe1-y-zSyTez或Cu2-xAgxSe1-y-zSyTez，其中0.01≤x≤0.15，0.3≤y≤1/3，0.3≤z≤0.4；所述铜硒基固溶体热电材料的制备方法包括：
1）按Cu2-xSe1-y-zSyTez或Cu2-xAgxSe1-y-zSyTez的化学计量比称取所述铜硒基高性能热电材料组成元素的单质，在真空或惰性气氛下将上述单质进行封装；
2）将封装的单质，升温至1100～1150 ℃下保持熔融状态12～24小时；
3）以0.08～0.4℃/分钟的降温速率从熔融状态降温至退火处理温度600～800℃下进行退火处理；
4）将退火处理形成的产物研磨后在450～600℃、60～65MPa下加压烧结，得到所述铜硒基固溶体热电材料。
2.根据权利要求1所述的铜硒基固溶体热电材料，其特征在于，步骤2）中，所述升温的速率为2～4℃/分钟。
3.根据权利要求1所述的铜硒基固溶体热电材料，其特征在于，退火处理的时间为5～7天。
4.根据权利要求1所述的铜硒基固溶体热电材料，其特征在于，所述加压烧结为放电等离子体烧结，放电等离子体烧结的时间为5～10分钟。
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