[发明专利]双端口静态随机存取记忆体单元

说明书

技术领域

本揭示案是关于静态随机存取记忆体(SRAM)，且更特定言之，是关于具有亲微影图案的SRAM。

背景技术

当静态随机存取记忆体(SRAM)配备有电力时，通常使用SRAM进行数据储存。为满足可携式电子设备及高速计算的需求，期望将更多包括交叉耦合反相器的数据储存单元整合至单一SRAM晶片并降低其功耗，例如通过用具有更小尺寸及更低功耗的鳍式场效晶体管(fin field-effect transistors；FinFET)取代已知晶体管。

发明内容

根据本揭示案的多个实施例，一种双端口静态随机存取记忆体(staticrandom access memory；SRAM)单元限制于由第一边界至第四边界所定义的区域中。第一边界及第二边界彼此平行。第三边界及第四边界连接第一边界及第二边界并彼此平行。双端口SRAM单元包括第一电力线至第三电力线、储存单元、第一端口以及第二端口。储存单元连接至第一电力线至第三电力线。第一端口包括由第一字线控制的第一传送栅极晶体管及第二传送栅极晶体管。第一传送栅极晶体管使第一位线与储存单元彼此耦接。第二传送栅极晶体管使第二位线与储存单元彼此耦接。第二端口包括由第二字线控制的第三传送栅极晶体管及第四传送栅极晶体管。第三传送栅极晶体管使第三位线与储存单元彼此耦接。第四传送栅极晶体管使第四位线与储存单元彼此耦接。第一位线至第四位线以及第一电力线至第三电力线各自在第一方向中延伸，并由第一金属层形成。第一字线在实质垂直于第一方向的第二方向中延伸，并由第一金属层上方的第二金属层形成。第二字线在第二方向中延伸，并由第二金属层上方的上层金属层形成。

附图说明

图1及图2各自绘示双端口静态随机存取记忆体(SRAM)单元的电路图；

图3是根据本揭示案的实施例示意性绘示半导体元件的各层的垂直排列的示例性横截面图；

图4根据本揭示案的实施例绘示记忆体单元的布局的第一部分；

图5A根据本揭示案的实施例绘示记忆体单元的布局的第二部分；

图5B至图5D根据本揭示案的实施例各自绘示记忆体单元的布局的第二部分的修改实例；

图6是根据本揭示案的实施例的记忆体元件的单元阵列的示意图；

图7A及图7B根据本揭示案的实施例绘示电力网格单元的布局的第一部分及第二部分；

图8是根据本揭示案的实施例的SRAM元件的电路区块。

具体实施方式

以下揭示内容提供了许多不同实施例或实例来实施所提供标的的不同特征。下文描述部件及排列的特定实例以简化本揭示案。当然，这些实例仅为示例且并不意欲为限制性。举例而言，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括第一特征及第二特征形成为直接接触的实施例，且亦可包括可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭示案可在各实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简明性及清晰的目的，且本身并不指示所论述的各实施例及/或配置之间的关系。

进一步地，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所绘示的一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中元件的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)且因此本文所使用的空间相对性描述词可相应地按此解读。