[发明专利]铝端电极芯片电阻器的制造方法

说明书

一种铝端电极芯片电阻器的制造方法，当应用于较高电阻值芯片电阻，组件结构不变但铝端电极必须是高固含量(高铝金属与高玻璃含量)；当多孔性铝端电极应用于较低电阻值芯片电阻，可藉由保护层与电阻层尺寸不同改变电流导通路径为侧面端电极导通电阻层。藉此，本发明以多孔性铝端电极取代原先银端电极，以大幅降低芯片电阻器端电极材料成本，或是维持原先芯片电阻结构，即保护层与电阻层尺寸相同或保护层较大的结构，藉由芯片电阻器在电镀端电极制程时，让电镀镍渗透进入并填满原先多孔性铝电极的孔洞，形成铝镍共存低电阻端电极，此类高固含量铝端电极或低固含量铝镍端电极皆可完全克服原先芯片电阻硫化问题，提升芯片电阻器抗硫化能力。

技术领域

本发明有关于一种铝端电极芯片电阻器的制造方法，尤指一种既可提升芯片电阻器抗硫化能力，亦可大幅降低芯片电阻器端电极材料成本的方法。

背景技术

芯片电阻器的电阻值主要是靠电阻层材料与几何结构来决定，再透过正面金属端电极导通后，经由电镀镍与锡连接到印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)使用。基本上，芯片电阻器的端电极可以分成三部分，分别为正面端电极、侧面端电极与背面端电极，其中侧面端电极与背面端电极只是利用来供后制程电镀镍与锡晶种层使用，而正面端电极除了用来供后制程电镀镍与锡晶种层使用之外，在其架构上也必需负责连接电阻层导通的路径，即连接电阻层与电镀镍锡后焊接于PCB板，如美国US 6,153,256号专利案、中国台湾第I423271及350071号专利案；当然，也有使用背面端银电极连接电阻层的技术，如中国台湾第I294129号专利案，其原理与上述以正面端电极连接电阻层相同。而为了与电阻层形成奥姆接触，因此正面端电极的导电率必须远低于电阻层电阻率才可形成奥姆接触，否则会造成寄生电阻影响电阻器最后电阻值。

为了符合芯片电阻端电极的功能与材料成本考虑，目前芯片电阻器的端电极材料是以银导体为主，然而芯片电阻端电极银金属有一严重缺点，其容易与应用环境中的硫起反应生成硫化银，特别是在高温、高湿度与高硫浓度的环境，如汽车电子的应用下反应特别激烈、特别严重，其芯片电阻硫化现象如图7b所示。而硫化银的生成将影响芯片电阻器的电性特性与可靠度。

目前主要制作抗硫化车用芯片电阻器，是将银端电极添加高含量(5mol％以上)的钯形成银钯合金来降低与硫反应形成硫化银的反应活性，如美国US 5,966,067专利案、中国台湾第I429609及I395232号专利案。然而，如此一来端电极材料成本将大幅升高，且随着硫化环境愈恶劣，形成硫化银还是有一定的风险。

另，当铝端电极应用于较高电阻值芯片电阻(>1Ω)，组件结构不变，然而不同于原先银端电极制作应用于芯片电阻器，铝端电极制作应用于芯片电阻器时因铝电极容易表面氧化问题导致有额外杂散电阻产生，这对于制作芯片电阻器在两倍半额定电压下进行过负载测试(short time over load)时，容易发生因冲击制造履端电极时产生的杂散电阻，造成芯片电阻器在过负载测试后电阻值偏移太大(±2％)失效问题。

故，一般无法符合使用者于实际使用时所需。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服已知技术所遭遇的上述问题，提供一种铝端电极芯片电阻器的制造方法，以高固含量铝端电极取代原先银端电极应用于大于1Ω以上的芯片电阻器，及以多孔性铝端电极取代原先银端电极应用于小于1Ω以下的芯片电阻器，除了可大幅降低芯片电阻器端电极材料成本，亦可完全克服原先芯片电阻硫化问题，而能有效应用于车用、基地台、及LED灯上，以提升芯片电阻器抗硫化能力。