[发明专利]Nand Flash块管理方法和系统有效
申请号: | 201611191783.1 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN106648463B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 周立功 | 申请(专利权)人: | 广州立功科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 冯右明 |
地址: | 510660 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | nand flash 管理 方法 系统 | ||
1.一种Nand Flash块管理方法,其特征在于,应用于Nand Flash驱动层,所述驱动层位于应用层与物理层之间,且用于断绝所述应用层与所述物理层的直接联系;所述方法包括:
接收所述应用层的访问指令,所述访问指令中包含逻辑块地址;所述逻辑块地址为预设于所述驱动层的虚拟的逻辑块的地址;
查询预设于所述驱动层的地址映射表,获取所述逻辑块地址对应的物理块地址,所述地址映射表中存储有与各个逻辑块地址对应的Nand Flash物理块地址;
查询预设于所述驱动层的坏块列表,检测所述物理块地址指向的存储块是否可用;在所述坏块列表中对所述Nand Flash中所有不可用的存储块进行了标记;
若所述物理块地址指向的存储块不可用,根据预设的地址映射算法重新确定与所述逻辑块地址对应的Nand Flash物理块地址,更新所述地址映射表,并根据所述访问指令对重新确定的物理块地址指向的存储块进行操作。
2.根据权利要求1所述的Nand Flash块管理方法,其特征在于,检测所述物理块地址对应的存储块是否可用之后,还包括:
若所述物理块地址指向的存储块为可用状态,根据所述访问指令对所述存储块进行操作。
3.根据权利要求1所述的Nand Flash块管理方法,其特征在于,查询预设的坏块列表之前,还包括:
扫描Nand Flash中的全部存储块,记录所述Nand Flash中各存储块的状态,构建所述Nand Flash对应的坏块列表。
4.根据权利要求3所述的Nand Flash块管理方法,其特征在于,记录所述Nand Flash中各存储块的状态,构建所述Nand Flash对应的坏块列表,包括:
按位标记Nand Flash中各存储块的状态,将可用存储块对应位的值用1表示,将不可用存储块对应位的值用0表示,构建所述Nand Flash对应的坏块位图。
5.根据权利要求1所述的Nand Flash块管理方法,其特征在于,还包括初始化地址映射表的步骤,包括:获取Nand Flash中非替换的可用存储块的物理块地址,建立各逻辑块地址与所述非替换的可用存储块的物理块地址的一一对应关系,根据所述对应关系构建地址映射表;
根据预设的地址映射算法重新确定与所述逻辑块地址对应的Nand Flash物理块地址,包括:
随机获取Nand Flash中任一保留块的物理块地址,建立所述逻辑块地址与所述任一保留块的物理块地址的对应关系;
或者,获取物理块地址最小的保留块,建立所述逻辑块地址与该保留块的物理块地址的对应关系;
其中,所述保留块为Nand Flash中非替换的存储块之外的可用存储块。
6.根据权利要求5所述的Nand Flash块管理方法,其特征在于,所述地址映射表中包含的最大逻辑块地址小于所述保留块的物理块地址。
7.根据权利要求1所述的Nand Flash块管理方法,其特征在于,还包括:
预先建立所述Nand Flash对应的结构常量,所述结构常量中包含有所述坏块列表的起始地址、所述地址映射表的起始地址以及用于描述所述Nand Flash的属性信息;
将所述结构常量存放在所述Nand Flash中的指定位置,将所述地址映射表以及所述坏块列表存储到所述Nand Flash之外的存储单元。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州立功科技股份有限公司,未经广州立功科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611191783.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示设备
- 下一篇:一种高压微波污泥预处理方法