[发明专利]有机发光器件在审
申请号: | 201611176101.X | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106910834A | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 金允善;金瑟雍;申东雨;李廷涉;伊藤尚行;林珍娱;郑惠仁 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 刘灿强,尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 器件 | ||
1.一种有机发光器件,所述有机发光器件包括:
第一电极;
第二电极,面对所述第一电极;
发射层,位于所述第一电极与所述第二电极之间;
空穴传输区,位于所述第一电极与所述发射层之间;以及
电子传输区,位于所述发射层与所述第二电极之间,
其中,所述电子传输区包括第一化合物,
从所述空穴传输区和所述电子传输区中选择的至少一者包括第二化合物,所述第一化合物由从式1A至式1D中选择的一个表示,
所述第二化合物由式2A或式2B表示:
式1A
式1B
式1D
其中,在式1A、式1B、式1C(2)至式1D、式2A和式2B中,
环A1为均取代有至少一个*-[(L11)a11-(R11)b11]的C5-C60碳环基或C1-C30杂环基,环A2为均取代有至少一个*-[(L12)a12-(R12)b12]的C5-C60碳环基或C1-C30杂环基;其中,*指与相邻原子的结合位,
其中,在式1C(1)中,
环A2选自于均取代有至少一个*-[(L12)a12-(R12)b12]的由式1-10至式1-21表示的基团:
T41至T48均独立地为N或C,或者均独立地为包括C的部分,
环A21、环A22和环A23均独立地为均取代有至少一个*-[(L22)a22-(R22)b22]的C5-C60碳环基或C1-C30杂环基;其中,*指与相邻原子的结合位,
T1至T4均独立地为碳或氮,其中,T1与T2之间的键为单键,T3与T4之间的键为双键,
在式1B和式1D中环A1与5元环缩合,同时与之共用T1和T2,在式1D中环A2与5元环缩合,同时与之共用T3和T4,
T11和T12均独立地为碳或氮,T13为N或C(R27),T14为N或C(R28),
其中,从式2A中的三个T11中选择的两个或更多个彼此相同或彼此不同,从式2A中的三个T12中选择的两个或更多个彼此相同或彼此不同,式2B中的两个T11彼此相同或彼此不同,式2B中的两个T12彼此相同或彼此不同,T11与T12之间的键为单键或双键,排除式2A中的三个T11和三个T12都是氮的情况,并排除式2B中的两个T11、两个T12、T13和T14都是氮的情况,
在式2A和式2B的每个中环A21、环A22和环A23均与7元环缩合,同时与之共用T11和T12,
X1选自于O、S和N-[(L1)a1-(R1)b1],
X2为N或C-(L2)a2-(R2)b2,X3为N或C-(L3)a3-(R3)b3,X4为N或C-(L4)a4-(R4)b4,X5为N或C-(L5)a5-(R5)c5,
X21选自于O、S、Se、C(R23)(R24)、Si(R23)(R24)和N-[(L21)a21-(R21)b21],
L1至L5、L11、L12、L21和L22均独立地选自于取代的或未取代的C3-C10亚环烷基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10亚环烯基、取代的或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60亚芳基、取代的或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代的或未取代的二价非芳香缩合杂多环基,
a1至a5、a11、a12、a21和a22均独立地为选自于0至5的整数,
R1至R5、R11、R12、R21至R24、R27和R28均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1-C60烷基、取代的或未取代的C2-C60烯基、取代的或未取代的C2-C60炔基、取代的或未取代的C1-C60烷氧基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代的或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)和-P(=O)(Q1)(Q2),
b1至b5、b11、b12、b21和b22均独立地为选自于0至4的整数,
R4和R5可选择地彼此连接以形成饱和环或不饱和环,
取代的C3-C10亚环烷基、取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的C3-C10亚环烯基、取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的C6-C60亚芳基、取代的C1-C60亚杂芳基、取代的二价非芳香缩合多环基、取代的二价非芳香缩合杂多环基、取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60烯基、取代的C2-C60炔基、取代的C1-C60烷氧基、取代的C3-C10环烷基、取代的C1-C10杂环烷基、取代的C3-C10环烯基、取代的C1-C10杂环烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基中的至少一个取代基选自于由以下基团组成的组:
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基;
均取代有选自于氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)和-P(=O)(Q11)(Q12)中的至少一者的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基;
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基;
均取代有选自于氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)和-P(=O)(Q21)(Q22)中的至少一者的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基;以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)和-P(=O)(Q31)(Q32),
其中,Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33均独立地选自于氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、取代有C1-C60烷基的C6-C60芳基、取代有C6-C60芳基的C6-C60芳基、三联苯基、C1-C60杂芳基、取代有C1-C60烷基的C1-C60杂芳基、取代有C6-C60芳基的C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择