[发明专利]磁记录介质及磁记录再生装置

权利要求书

1.一种磁记录介质，在该磁记录介质的非磁性基板上至少设置了软磁性底层、对正上面的层的配向性进行控制的配向控制层、易磁化轴相对于所述非磁性基板进行了垂直配向的垂直磁性层、及保护层，

其中，所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧开始依次包括第1磁性层、第2磁性层、第3磁性层、及第4磁性层，

所述第1磁性层至所述第4磁性层为粒状结构磁性层，

构成所述第1磁性层至所述第4磁性层的磁性颗粒为连续柱状晶，

所述第1磁性层和所述第2磁性层之间及所述第2磁性层和所述第3磁性层之间分别具有交换结合控制层，

所述第3磁性层与所述第4磁性层接触，

所述第1磁性层至所述第4磁性层为强磁结合，

在所述第1磁性层至所述第4磁性层的磁各向异性常数为Ku_i、饱和磁化强度为Ms_i、及膜厚为t_i时，满足如下关系，即：

Ku_i＞Ku_i+1，这里，i＝1，2；

Ms_i·t_i＞Ms_i+1·t_i+1，这里，i＝1，2；

Ku_i＜Ku_i+1，这里，i＝3；及

Ms_i·t_i＜Ms_i+1·t_i+1，这里，i＝3。

2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中，

所述Ms₁在1200～500emu/cc的范围内，

所述Ku₁在12×10⁶～5×10⁶erg/cc的范围内，

所述Ms₂在1100～400emu/cc的范围内，

所述Ku₂在11×10⁶～4×10⁶erg/cc的范围内，

所述Ms₃在1000～300emu/cc的范围内，

所述Ku₃在10×10⁶～4×10⁶erg/cc的范围内，

所述Ms₄在900～200emu/cc的范围内，

所述Ku₄在9×10⁶～2×10⁶erg/cc的范围内，

所述t₁、t₂、t₃、及t₄在1～10nm的范围内。

3.如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，

所述第4磁性层和保护层之间包括第5磁性层，

所述第5磁性层为非粒状结构磁性层，

构成所述第1磁性层至所述第5磁性层的磁性颗粒为连续柱状晶，

所述第4磁性层与所述第5磁性层接触，

所述第1磁性层至所述第5磁性层为强磁结合，

在所述第5磁性层的磁各向异性常数为Ku₅、饱和磁化强度为Ms₅、及膜厚为t₅时，满足如下关系，即：

Ku₄＞Ku₅；及

Ms₄·t₄＞Ms₅·t₅。

4.如权利要求3所述的磁记录介质，其中，

在所述第5磁性层的磁各向异性常数为Ku₅、饱和磁化强度为Ms₅、及膜厚为t₅时，满足如下关系，即：

Ku₃＞Ku₅；及

Ms₃·t₃＜Ms₅·t₅。