[发明专利]形成液晶显示装置的配向层的方法及显示装置有效
| 申请号: | 201611157238.0 | 申请日: | 2016-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN106990615B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
| 发明(设计)人: | 钱胤;戴幸志;张明;缪佳君 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军;王蕊瑞 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 形成 液晶 显示装置 方法 | ||
1.一种形成显示装置的配向层的方法,该方法包括:
提供基板,该基板具有沉积在其上的配向层材料;以及
将光施加至该配向层材料,
其中,该施加光的步骤改变该配向层材料的表面的表面形态;
将光施加至该配向层材料的步骤包括:施加来自脉冲激光器的一连串脉冲以对该配向层材料的部分进行退火;以及
该配向层材料包括氧化物,以及其中:
所述施加来自该脉冲激光器的一连串激光脉冲的步骤在该配向层材料的所述表面上产生重复性特征图案,
该特征图案包括限定在该配向表面上的谷部图案,并且
与该谷部有关的区域的材料密度大于该配向层的其它区域的材料密度,该配向层由该材料制成。
2.根据权利要求1的方法,其中该一连串脉冲相对于该基板沿着预定路径来施加。
3.根据权利要求2的方法,进一步包括:
沿着该预定路径在第一位置将预定数量的脉冲施加至该配向层材料,以改变接近该第一位置的配向层材料的表面形态;以及
沿着该预定路径在第二位置将该预定数量的激光脉冲施加至该配向层材料,以改变接近该第二位置的配向层材料的表面形态。
4.根据权利要求3的方法,其中该预定数量是一个。
5.根据权利要求2的方法,其中:
沿着多条平行路径施加该一连串脉冲;以及
限定所述平行路径,使得所述平行路径中相邻平行路径的曝光区域重叠预定量。
6.根据权利要求5的方法,其中该预定量为50%。
7.根据权利要求1的方法,其中:
所述施加来自该脉冲激光器的一连串脉冲的步骤包括在多个预定位置中的每一个处施加预定数量的脉冲;以及
所述多个预定位置的相邻位置之间的距离确定该特征的相邻特征之间的节距。
8.根据权利要求1的方法,其中该配向层材料包括旋涂式电介质(SOD)。
9.根据权利要求8的方法,其中该旋涂式电介质包括二氧化硅。
10.根据权利要求1的方法,其中所述提供该基板的步骤包括利用旋涂工艺将该配向层材料沉积在该基板之上。
11.根据权利要求10的方法,其中该配向层材料包括旋涂式电介质(SOD)。
12.根据权利要求1的方法,其中:
该基板包括硅基板和形成在该硅基板上的多个像素镜;以及
该配向层材料沉积在该多个像素镜之上。
13.根据权利要求1的方法,其中:
该基板包括透明基板,该透明基板具有形成于其上的透明电极层;以及
该配向层材料沉积在该透明电极层之上。
14.一种显示装置,包括:
硅基板;
多个像素镜,形成在该硅基板之上;以及
配向层,形成在该多个像素镜之上,
且其中该配向层包括与该多个像素镜相对的配向表面,以及
该配向表面的表面形态包括形成于其中的特征图案,该特征图案指示有激光退火,以及其中
该配向层包括氧化物,
该特征图案包括限定在该配向表面上的谷部图案,并且
与该谷部有关的区域的材料密度大于该配向层的其它区域的材料密度,该配向层由该材料制成。
15.根据权利要求14的显示装置,其中该配向层包括旋涂式电介质(SOD)。
16.根据权利要求15的显示装置,其中该旋涂式电介质包括二氧化硅。
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