[发明专利]存储器单元及存储器阵列

权利要求书

1.一种存储器单元，其特征在于，包括：

第一选择晶体管，具有第一端耦接于位线，第二端，及栅极端耦接于字符线；

第一接续栅极晶体管，具有第一端耦接于所述第一选择晶体管的所述第二端，第二端，及栅极端耦接于接续控制线；

反熔丝晶体管，具有第一端耦接于所述第一接续栅极晶体管的所述第二端，第二端，及栅极端耦接于反熔丝控制线；

第二接续栅极晶体管，具有第一端耦接于所述反熔丝晶体管的所述第二端，第二端，及栅极端耦接于所述接续控制线；及

第二选择晶体管，具有第一端耦接于所述第二接续栅极晶体管的所述第二端，第二端耦接于所述位线，及栅极端耦接于所述字符线。

2.如权利要求1所述的存储器单元，其特征在于：

所述第一选择晶体管另具有第一源极/漏极延伸区耦接于所述第一选择晶体管的所述第一端，及第二源极/漏极延伸区耦接于所述第一选择晶体管的所述第二端，所述第一源极/漏极延伸区及所述第二源极/漏极延伸区都设置在所述第一选择晶体管的所述栅极端的下方；

所述第一接续栅极晶体管另具有第一源极/漏极延伸区设置在所述第一接续栅极晶体管的所述栅极端的下方，且耦接于所述第一接续栅极晶体管的所述第一端；

所述第二接续栅极晶体管另具有第一源极/漏极延伸区设置在所述第二接续栅极晶体管的所述栅极端的下方，且耦接于所述第二接续栅极晶体管的所述第二端；及

所述第二选择晶体管另具有第一源极/漏极延伸区耦接于所述第二选择晶体管的所述第一端，及第二源极/漏极延伸区耦接于所述第二选择晶体管的所述第二端，所述第一源极/漏极延伸区及所述第二源极/漏极延伸区都设置在所述第二选择晶体管的所述栅极端的下方。

3.如权利要求2所述的存储器单元，其特征在于所述反熔丝晶体管是金氧半电容。

4.如权利要求2所述的存储器单元，其特征在于：

所述第一接续栅极晶体管另具有第二源极/漏极延伸区设置在所述第一接续栅极晶体管的所述栅极端的下方，且耦接于所述第一接续栅极晶体管的所述第二端；

所述反熔丝晶体管另具有第一源极/漏极延伸区耦接于所述反熔丝晶体管的所述第一端，及第二源极/漏极延伸区耦接于所述反熔丝晶体管的所述第二端，所述第一源极/漏极延伸区及所述第二源极/漏极延伸区都设置在所述反熔丝晶体管的所述栅极端下方；及

所述第二接续栅极晶体管另具有第二源极/漏极延伸区设置在所述第二接续栅极晶体管的所述栅极端的下方，且耦接于所述第二接续栅极晶体管的所述第一端。

5.如权利要求4所述的存储器单元，其特征在于所述反熔丝晶体管是金氧半电容。

6.如权利要求2所述的存储器单元，其特征在于：

所述第一接续栅极晶体管另具有变形源极/漏极延伸区设置在所述第一接续栅极晶体管的所述栅极端的下方，且耦接于所述第一接续栅极晶体管的所述第二端；

所述反熔丝晶体管另具有变形源极/漏极延伸区设置在所述反熔丝晶体管的所述栅极端下方，且耦接于所述反熔丝晶体管的所述第一端及所述第二端；及

所述第二接续栅极晶体管另具有变形源极/漏极延伸区设置在所述第二接续栅极晶体管的所述栅极端的下方，且耦接于所述第二接续栅极晶体管的所述第一端。

7.如权利要求6所述的存储器单元，其特征在于所述反熔丝晶体管是反熔丝变容。

8.如权利要求2所述的存储器单元，其特征在于：

所述第一接续栅极晶体管的所述第二端、所述反熔丝晶体管的所述第一端及所述第二端，及所述第二接续栅极晶体管的所述第一端都设置在井区。

9.如权利要求8所述的存储器单元，其特征在于：

所述第一选择晶体管、所述第一接续栅极晶体管、所述第二选择晶体管及所述第二接续栅极晶体管都是利用N型金氧半场效晶体管形成；及

所述井区是N型井。