[发明专利]一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板及制备方法和组件在审
申请号: | 201611152041.8 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN106601853A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 林建伟;张育政;孙玉海;余艺华 | 申请(专利权)人: | 苏州中来光伏新材股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 215542 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 胶膜 一体化 导热 太阳能电池 背板 制备 方法 组件 | ||
1.一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,包括依次设置的含氟导热外涂层、高导热基材层和含氟导热内涂层,其特征在于:所述高导热基材层中含有碳纳米管和/或石墨烯,以及导热填料。
2.根据权利要求1所述的一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,其特征在于:所述导热填料包括碳酸钡、硫酸钡、氮化硼、氧化铝、氧化镁、Si3N4、AlN或SiC中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,其特征在于:所述高导热基材层还包括母料、增韧剂、增容剂、偶联剂和扩链剂。
4.根据权利要求3所述的一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,其特征在于:所述母料是PET、PP、PE或PO;所述增韧剂是SBS或SEBS;所述增容剂是MAH-g-SEBS、GMA-g-SEBS、MAH-g-EPDM、MAH-g-EVA或MAH-g-LLDPE;所述偶联剂是硅烷偶联剂、酞酸酯偶联剂或铝酸酯偶联剂;所述扩链剂包括双环氧基化合物。
5.根据权利要求1所述的一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,其特征在于:含氟导热外涂层和含氟导热内涂层是含碳纳米管和/或石墨烯的功能含氟涂层。
6.根据权利要求5所述的一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,其特征在于:含氟导热外涂层和含氟导热内涂层还包括碳酸钡、硫酸钡、氮化硼、氧化铝、氧化镁、Si3N4、A1N或SiC中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,其特征在于:含氟导热外涂层和/或含氟导热内涂层的表面接枝有极性单分子层。
8.根据权利要求1所述的一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,其特征在于:含氟导热外涂层和含氟导热内涂层的厚度均为微米级,高导热基材层的厚度为微米到毫米级。
9.根据权利要求5所述的一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,其特征在于:功能含氟涂层包括具有活性基团的功能高分子氟树脂、固化剂、助剂和填料。
10.根据权利要求9所述的一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,其特征在于:功能高分子氟树脂为由氟乙烯、二氟乙烯、三氟乙烯或四氟乙烯中的一种或任几种与含活性基团的功能单体进行共聚得到的氟树脂,活性基团包括羟基、羧基或氨基,功能单体为含不饱和键、双键或三键的可聚合有机分子;固化剂为含异氰酸酯基、环氧基或氨基的多官能团固化剂。
11.根据权利要求1所述的一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,其特征在于:碳纳米管是单壁碳纳米管或多壁碳纳米管,碳纳米管的直径为纳米级,碳纳米管的长度为微米级或毫米级;
石墨烯是单分子层石墨烯或多分子层石墨烯,石墨烯的厚度为纳米级,石墨烯的表观尺寸为微米级到毫米级;
导热填料的粒径为纳米级或微米级。
12.根据权利要求1所述的一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,其特征在于:碳纳米管是未经表面修饰的碳纳米管或经过表面修饰的碳纳米管,石墨烯是未经表面修饰的石墨烯或经过表面修饰的石墨烯,导热填料是未经表面修饰的导热填料或经过表面修饰的导热填料。
13.根据权利要求1所述的一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,其特征在于:高导热基材层的两个表面经过等离子体表面活化和刻蚀处理。
14.根据权利要求1所述的一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,其特征在于:碳纳米管和/或石墨烯在含氟导热外涂层和含氟导热内涂层中的质量百分比均为0.1-10%。
15.根据权利要求1所述的一种胶膜一体化高导热太阳能电池背板,其特征在于:碳纳米管和/或石墨烯在高导热基材层中的质量百分比为0.001-10%;导热填料在高导热基材层中的质量百分比小于或等于10%。
16.一种高导热太阳能电池组件,其特征在于:包括权利要求1-15任一所述的胶膜一体化高导热太阳能电池背板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的