[发明专利]Cu2MoS4纳米材料及其制备方法

说明书

本发明提供了一种Cu₂MoS₄三元纳米材料的制备方法，包括以下步骤，将实心球状氧化亚铜、四硫代钼酸铵和水进行水热反应后，得到Cu₂MoS₄纳米管。本发明采用了水热合成的方式，利用模板法，获得了形貌均一的Cu₂MoS₄空心纳米管。本发明提供的制备方法简单，过程可控，成本低，绿色环保，制备的Cu₂MoS₄空心纳米管可以应用于催化化学、光电化学、能源存储、复合材料、电子工业及农业等方面，有着巨大的应用前景。

技术领域

本发明涉及纳米材料技术领域，涉及三元过渡族金属硫化物纳米材料及其制备方法，特别涉及一种Cu₂MoS₄三元纳米材料及其制备方法、应用，尤其涉及一种三元过渡族金属硫化物Cu₂MoS₄及其制备方法、应用。

背景技术

近些年来，纳米材料得到了蓬勃发展，由于它的尺寸已经接近电子的相干长度，它的性质因为强相干所带来的自组织使得性质发生很大变化。因此其所表现的特性，例如熔点、磁性、光学、导热、导电特性等等，往往不同于该物质在整体状态时所表现的性质。

这其中，化合物半导体纳米材料，由于化合物半导体自身的光电性能，再结合纳米级结构，会具有诸多更特殊的性能，因而引起了学者们的广泛重视。化合物半导体又称晶态无机化合物半导体，是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。包括晶态无机化合物(如III-V 族、II-VI族化合物半导体)及其固溶体、非晶态无机化合物(如玻璃半导体)、有机化合物(如有机半导体)和氧化物半导体等。

在众多化合物半导体纳米材料中，铜基硫化物纳米材料作为一种重要的半导体材料，尤其是三元过渡金属硫族化合物，由于具有更多的可控变量，从而表现出更加新颖奇特的性质(如特异的四方形晶格、迥异的能带结构、优异的催化特性等)，在光学器件、太阳能电池、生物医学、锂离子电池、电化学和光催化等领域具有广泛的应用前景。尤其是Cu₂MoS₄，属于典型的半导体材料，其能隙为1.7eV，是少有的能被可见光激发的半导体材料，因而在催化、光电化学、能源存储、复合材料、电子工业及农业等方面有着十分巨大的应用前景。作为重要的三元过渡金属硫族化合物，纳米级Cu₂MoS₄的合成历来受到广泛的报道，众所周知，材料的大多数属性都具有对微观形貌、尺寸和化学组成的依赖性，因而领域内在如何合理设计和精确控制合成具有特定形貌的Cu₂MoS₄上投入了大量的精力。例如，利用水热法、模板法、化学气相沉积等方法制备纳米片、纳米立方体、纳米线、纳米带等技术均有公开文献记载，且现有的大多数方法都需要加入有机溶剂，对环境有一定影响，得到的Cu₂MoS₄纳米颗粒中带有杂质。

因此，如何找到一种更适宜的、过程可控的绿色环保的Cu₂MoS₄纳米材料合成方法，已成为业内普遍关注的焦点之一。

发明内容

有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种Cu₂MoS₄三元纳米材料及其制备方法、应用，是一种Cu₂MoS₄纳米管及其制备方法，本发明采用了水热合成的方式，利用模板法，获得了形貌均一的 Cu₂MoS₄纳米管，而且制备方法简单，过程可控，绿色环保。

本发明提供了一种Cu₂MoS₄三元纳米材料的制备方法，包括以下步骤：

A)将实心球状氧化亚铜、四硫代钼酸铵和水进行水热反应后，得到Cu₂MoS₄纳米管。