[发明专利]基于NAND flash的数据块处理方法和装置

说明书

本发明实施例公开了一种基于NAND flash的数据块处理方法，应用于NAND flash存储设备，所述存储设备包括至少一个数据块，每个数据块包括至少一个数据页，所述方法包括：检测目标数据块是否写满；当检测出目标数据块未写满时，检测目标数据块的写操作次数和读操作次数是否分别满足写操作预设条件和读操作预设条件；当检测出满足时，以目标数据块当前的第一个空白数据页为起始页，在包含所述第一个空白数据页的第一预设页数空白数据页内写入无效数据。本发明实施例解决了现有技术中当数据块没有写满时而引起数据不稳定的问题。

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术，尤其涉及一种基于NAND flash的数据块处理方法和装置。

背景技术

众所周知，半导体存储器具有排列成阵列的大量存储器单元，阵列内一特定的存储器单元通常经由一字线(word-line,WL)与一对位线(bit-line,BL)选取。字线通常耦接至一行内各存储器单元的一个或多个控制栅。假设控制栅由NMOS所形成，当耦接于其上的字线具有高电压时(即，被活化，activate)，所有的存储器单元会被导通。位线对(BL pair)通常耦接一列内各存储器单元的存储点至一感测放大器。位于被活化的字线与位线对的一交叉点的存储器单元便是被选择的存储器单元。通过控制字线和位线的高低电压可以实现存储单元的读写。

NAND flash是Flash内存的一种，属于非易失性半导体存储器。NAND flash包括很多数据块，每个数据块由很多存储器单元组成，用于读写数据。其中，没有写满的数据块称为非满数据块或者打开状态(open)的数据块，而当数据块没有写满时，open WL数据会比较不稳定，即对已写数据进行多次的读操作常常会引起数据出现多个bit错误，甚至不可纠正的错误。

发明内容

本发明实施例提供一种基于NAND flash的数据块处理方法和装置，以解决现有技术中当数据块没有写满时而引起数据不稳定的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种基于NAND flash的数据块处理方法，应用于NAND flash存储设备，所述存储设备包括至少一个数据块，每个数据块包括至少一个数据页，该方法包括：检测目标数据块是否写满；当检测出目标数据块未写满时，检测目标数据块的写操作次数和读操作次数是否分别满足写操作预设条件和读操作预设条件；当检测出满足时，以目标数据块当前的第一个空白数据页为起始页，在包含所述第一个空白数据页的第一预设页数空白数据页内写入无效数据。

进一步的，当检测出目标数据块未写满时，该方法还包括：检测目标数据块中，从当前最后一个非空白数据页往前数的第二预设页数非空白数据页中是否存在读错误；当检测出存在读错误时，以目标数据块当前的第一个空白数据页为起始页，在包含所述第一个空白数据页的第一预设页数空白数据页内写入无效数据。

第二方面，本发明实施例提供了一种基于NAND flash的数据块处理装置，应用于NAND flash存储设备，所述存储设备包括至少一个数据块，每个数据块包括至少一个数据页，该装置包括：第一检测模块，用于检测目标数据块是否写满；第二检测模块，用于当第一检测模块检测出目标数据块未写满时，检测目标数据块的写操作次数和读操作次数是否分别满足写操作预设条件和读操作预设条件；无效数据写入模块，用于当第二检测模块检测出所述写操作次数和读操作次数分别满足写操作预设条件和读操作预设条件时，以目标数据块当前的第一个空白数据页为起始页，在包含所述第一个空白数据页的第一预设页数空白数据页内写入无效数据。

进一步的，该装置还包括：第三检测模块，用于当第一检测模块检测出目标数据块未写满时，检测目标数据块中，从当前最后一个非空白数据页往前数的第二预设页数非空白数据页中是否存在读错误；所述无效数据写入模块，还用于当第三检测模块检测出存在读错误时，以目标数据块当前的第一个空白数据页为起始页，在包含所述第一个空白数据页的第一预设页数空白数据页内写入无效数据。