[发明专利]用于NANDflash存储设备的数据处理方法、NANDflash存储设备在审
申请号: | 201611129136.8 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN108614779A | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 陈诚 | 申请(专利权)人: | 北京京存技术有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F11/10 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据更新 数据块 存储器 擦除 数据复制 原有数据 数据处理 空数据 阈值时 检测 存储 存储空间 存储设备 质量问题 物理块 放入 块池 空闲 混淆 | ||
本发明实施例公开了一种用于NAND flash存储设备的数据处理方法、NAND flash存储设备,其中,方法包括:在存储设备空闲时,检测存储器的数据块中的数据是否达到数据更新阈值;当检测出有数据块中存储的数据达到所述数据更新阈值时,将达到数据更新阈值的数据块中的数据复制到存储器中的空数据块,擦除原有数据块,并将擦除后的数据块放入所述存储器的待用块池中。本发明实施例解决了现有技术中因NAND flash存储器数据长期不读的保持问题引起错误的问题。通过检测到数据块中存储的数据达到数据更新阈值时,将达到数据更新阈值的数据复制到空数据块,并擦除原有数据,不仅节省了存储空间,而且避免了将长期不读的保持问题引起的错误和物理块质量问题引起的错误混淆。
技术领域
本发明实施例涉及存储器技术,尤其涉及一种用于NAND flash存储设备的数据处理方法、NAND flash存储设备。
背景技术
NAND flash是Flash内存的一种,属于非易失性存储设备(Non-volatile MemoryDevice)。
存放在NAND flash中的数据长期不读会变得不稳定,错误可以纠正的比特数会增加,甚至不可纠正,这不仅会浪费宝贵的存储空间,而且这种由于数据长期不读的保持问题引起的错误会和物理块质量问题引起的错误混淆,继而影响到后续的纠错处理。
发明内容
本发明实施例提供一种用于NAND flash存储设备的数据处理方法、NAND flash存储设备,以避免现有技术中因NAND flash存储器数据长期不读的保持问题引起的错误。
第一方面,本发明实施例提供了一种用于NAND flash存储设备的数据处理方法,包括:
在所述存储设备空闲时,依次检测所述存储器的数据块中存储的数据是否达到预设的数据更新阈值;
当检测出有数据块中存储的数据达到所述数据更新阈值时,将达到所述数据更新阈值的数据块中的数据复制到所述存储器中的空数据块,擦除达到所述数据更新阈值的数据块,并将擦除后的数据块放入所述存储器的待用块池中。
第二方面,本发明实施例还提供了一种NAND flash存储设备,包括:
检测模块,用于在所述存储设备空闲时,依次检测所述存储器的数据块中存储的数据是否达到预设的数据更新阈值;
复制模块,用于所述检测模块检测出有数据块中存储的数据达到所述数据更新阈值时,将达到所述数据更新阈值的数据块中的数据复制到所述存储器中的空数据块;
擦除模块,用于擦除达到所述数据更新阈值的数据块,并将擦除后的数据块放入所述存储器的待用块池中。
本发明实施例通过检测到数据块中存储的数据达到数据更新阈值时,将达到数据更新阈值的数据复制到空数据块中,并擦除原有数据,解决现有技术中因NAND Flash存储器数据长期不读的保持问题引起错误的问题。不仅节省了存储空间,而且避免了将长期不读的保持问题引起的错误和物理块质量问题引起的错误混淆。
附图说明
图1是本发明实施例一中的一种用于NAND flash存储设备的数据处理方法流程图;
图2是本发明实施例二中的一种用于NAND flash存储设备的数据处理方法流程图;
图3是本发明实施例三中的一种NAND flash存储设备中固件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例一
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