[发明专利]基于NAND flash的掉电保护方法和装置有效

专利信息
申请号: 201611128441.5 申请日: 2016-12-09
公开(公告)号: CN108614744B 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 陈诚 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G06F11/14 分类号: G06F11/14
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆;胡彬
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 nand flash 掉电 保护 方法 装置
【说明书】:

发明实施例公开了一种基于NAND flash的掉电保护方法,所述NAND flash包括MLC块和SLC块,所述MLC块的数据页包括MSB页和与其对应的LSB页,所述方法包括:执行对MLC块的写命令第一个写动作之前,判断当前待写数据页是否为MSB页;当判断出所述当前待写数据页是MSB页时,将所述当前待写数据页对应的LSB页的数据备份到SLC块中;执行对MLC块的写命令最后一个写动作之后,判断写入的最后一页是否为MSB页;当判断出所述写入的最后一页是MSB页时,将所述写入的最后一页对应的LSB页的数据备份到所述SLC块中。本发明实施例解决了MSB页因掉电而引起的LSB页读错误的问题,实现了保证LSB数据不受损坏,降低了数据存储过程中的出错概率。

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术,尤其涉及一种基于NAND flash的掉电保护方法和装置。

背景技术

EMMC(Embedded Multi Media Card)是嵌入式多媒体卡,是MMC协会订立的、主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。EMMC在封装中集成了一个控制器,它提供标准接口并管理闪存,使得手机厂商能专注于产品开发的其他部分,并缩短向市场推出产品的时间。NAND flash是Flash内存的一种,属于非易失性存储设备。

对于基于NAND flash的EMMC产品,其NAND flash中的数据块可以有两种类型,一种是MLC(multi-level cell,多层单元),一种是SLC(single-level cell,单层单元)。其中,MLC块包含多个MSB(Most significant bit,最高有效位)页(对应Upper page,慢页)和多个对应的LSB(Least significant bit,最低有效位)页(对应Lower page,快页)。而对于MLC块,如果其MSB页在写的过程中掉电,则对应的LSB页很有可能出现不可纠正的读错误。按照EMMC协议,掉电发生时正在写入的数据允许恢复为旧数据,但已完成写命令的数据要确保正确。因此,当MSB页在写的过程中掉电,需要及时进行掉电保护。

发明内容

本发明实施例提供一种基于NAND flash的掉电保护方法和装置,以解决因MSB页在写的过程中掉电而引起的LSB页读错误的问题。

第一方面,本发明实施例提供了一种基于NAND flash的掉电保护方法,所述NANDflash包括MLC块和SLC块,所述MLC块的数据页包括MSB页和与其对应的LSB页,所述方法包括:

执行对MLC块的写命令第一个写动作之前,判断当前待写数据页是否为MSB页;

当判断出所述当前待写数据页是MSB页时,将所述当前待写数据页对应的LSB页的数据备份到SLC块中;

执行对MLC块的写命令最后一个写动作之后,判断写入的最后一页是否为MSB页;

当判断出所述写入的最后一页是MSB页时,将所述写入的最后一页对应的LSB页的数据备份到所述SLC块中。

进一步的,所述方法还包括:

在所述将当前待写数据页对应的LSB页的数据备份到SLC块中之后,在所述当前待写数据页对应的LSB页中写入已备份标记,并记录所述当前待写数据页对应的LSB页与所述SLC块的数据存储位置的映射关系;以及

在所述将写入的最后一页对应的LSB页的数据备份到所述SLC块中之后,在所述写入的最后一页对应的LSB页中写入已备份标记,并记录所述写入的最后一页对应的LSB页与所述SLC块的数据存储位置的映射关系。

第二方面,本发明实施例还提供了一种基于NAND flash的掉电保护装置,所述NAND flash包括MLC块和SLC块,所述MLC块的数据页包括MSB页和与其对应的LSB页,所述装置包括:

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