[发明专利]基于NAND flash的掉电保护方法和装置有效

专利信息
申请号: 201611128441.5 申请日: 2016-12-09
公开(公告)号: CN108614744B 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 陈诚 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G06F11/14 分类号: G06F11/14
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆;胡彬
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 nand flash 掉电 保护 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种基于NAND flash的掉电保护方法,所述NAND flash包括MLC块和SLC块,所述MLC块的数据页包括MSB页和与其对应的LSB页,其特征在于,所述方法包括:

执行对MLC块的写命令第一个写动作之前,判断当前待写数据页是否为MSB页;

当判断出所述当前待写数据页是MSB页时,将所述当前待写数据页对应的LSB页的数据备份到SLC块中;

执行对MLC块的写命令最后一个写动作之后,判断写入的最后一页是否为MSB页;

当判断出所述写入的最后一页是MSB页时,将所述写入的最后一页对应的LSB页的数据备份到所述SLC块中。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

在所述将所述当前待写数据页对应的LSB页的数据备份到SLC块中之后,在所述当前待写数据页对应的LSB页中写入已备份标记,并记录所述当前待写数据页对应的LSB页与所述SLC块的数据存储位置的映射关系;以及

在所述将所述写入的最后一页对应的LSB页的数据备份到所述SLC块中之后,在所述写入的最后一页对应的LSB页中写入已备份标记,并记录所述写入的最后一页对应的LSB页与所述SLC块的数据存储位置的映射关系。

3.一种基于NAND flash的掉电保护装置,所述NAND flash包括MLC块和SLC块,所述MLC块的数据页包括MSB页和与其对应的LSB页,其特征在于,所述装置包括:

第一判断模块,用于在对MLC块执行写命令第一个写动作之前,判断当前待写数据页是否为MSB页;

第一备份模块,用于当第一判断模块判断出所述当前待写数据页是MSB页时,将所述当前待写数据页对应的LSB页的数据备份到SLC块中;

第二判断模块,用于在完成对MLC块的写命令最后一个写动作之后,判断写入的最后一页是否为MSB页;

第二备份模块,用于当第二判断模块判断出所述写入的最后一页是MSB页时,将所述写入的最后一页对应的LSB页的数据备份到所述SLC块中。

4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:

第一映射关系记录模块,用于在第一保存模块将所述当前待写数据页对应的LSB页的数据保存到所述SLC块中之后,记录所述当前待写数据页对应的LSB页与所述SLC块的数据存储位置的映射关系;

第二映射关系记录模块,用于在第二保存模块将所述写入的最后一页对应的LSB页的数据保存到所述SLC块中之后,记录所述写入的最后一页对应的LSB页与所述SLC块的数据存储位置的映射关系。

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