[发明专利]超器件以及导引光的方法

权利要求书

1.一种超器件，包括：

多个电极，彼此间隔开；

绝缘层，覆盖所述多个电极；

超材料，包括彼此间隔开的多个超结构；以及

有源层，设置在所述绝缘层和所述超材料之间并具有根据施加到所述多个电极和所述有源层的电信号而变化的电荷密度，

其中所述多个超结构的每个的尺寸小于操作波长，

其中所述多个电极中的相邻的电极之间的区域由所述绝缘层填充。

2.如权利要求1所述的超器件，其中所述多个超结构的每个交叠所述多个电极中的一个。

3.如权利要求1所述的超器件，其中所述多个电极中的至少一个交叠所述多个超结构中的至少两个。

4.如权利要求1所述的超器件，其中所述有源层的与所述多个电极中的一个电极的位置相对应的区域的电荷密度在向所述多个电极中的所述一个电极施加电信号时改变。

5.如权利要求1所述的超器件，其中所述有源层接地。

6.如权利要求1所述的超器件，其中所述多个电极的每个与所述多个电极中的其它电极电隔离。

7.如权利要求1所述的超器件，其中所述多个电极中的至少两个彼此电隔离。

8.如权利要求1所述的超器件，其中所述多个电极中的两个相邻的电极彼此电隔离。

9.如权利要求1所述的超器件，其中施加到所述多个电极的电压使得从所述超器件反射的光被导引到预定点。

10.如权利要求9所述的超器件，其中从所述超器件反射的光被导引到的所述预定点根据施加到所述多个电极的电压而变化。

11.如权利要求1所述的超器件，还包括电路基板，该电路基板配置为向所述多个电极施加电压。

12.如权利要求11所述的超器件，其中所述电路基板接触所述多个电极。

13.如权利要求1所述的超器件，其中所述多个电极的空间间隔的尺寸小于所述多个超结构的空间间隔的尺寸。

14.如权利要求1所述的超器件，其中所述有源层的所述电荷密度的变化引起由所述超器件反射的光的相位偏移。

15.如权利要求1所述的超器件，其中所述绝缘层是第一绝缘层，所述超器件还包括在所述有源层和所述超材料之间的第二绝缘层。

16.如权利要求15所述的超器件，其中所述第二绝缘层包括金属化合物和硅化合物中的至少一种。

17.如权利要求15所述的超器件，其中所述第二绝缘层包括Al₂O₃、HfO、ZrO、HfSiO、SiOx、SiNx和SiON中的至少一种。

18.如权利要求1所述的超器件，其中所述有源层包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、镓锌氧化物(GZO)和镓铟锌氧化物(GIZO)中的至少一种。

19.如权利要求1所述的超器件，其中所述绝缘层包括金属化合物和硅化合物中的至少一种。

20.如权利要求1所述的超器件，其中所述绝缘层包括Al₂O₃、HfO、ZrO、HfSiO、SiOx、SiNx和SiON中的至少一种。