[发明专利]一种制冷红外探测器有效
| 申请号： | 201611121203.1 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106706136B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 韩蓬磊;刘森;董硕 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | G01J5/02 | 分类号： | G01J5/02 |
| 代理公司： | 11010 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人： | 于金平<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 杜瓦 红外探测器 冷指 制冷器 探测器芯片 制冷 蓄冷装置 耗气量 控温 冷头 蓄冷 | ||
1.一种J-T制冷红外探测器，包括：杜瓦、杜瓦冷指、J-T制冷器以及探测器芯片，所述J-T制冷器位于所述杜瓦冷指中，所述探测器芯片在所述杜瓦内、位于所述杜瓦冷指的冷头上，其特征在于：
所述杜瓦冷指底部、与冷头相对的一侧设有蓄冷装置；
所述蓄冷装置为网状结构；
所述蓄冷装置为不锈钢网或铜网；
所述网状结构的目数为100目～200目；
所述蓄冷装置中存储有液态制冷工质，当J-T制冷器通气工作后，液体制冷工质在所述蓄冷装置中形成一层稳定的液膜。
2.如权利要求1所述的J-T制冷红外探测器，其特征在于，采用焊接或粘接方式将所述蓄冷装置固定在所述杜瓦冷指底部、与冷头相对的一侧。
3.如权利要求2所述的J-T制冷红外探测器，其特征在于，采用焊接方式将所述蓄冷装置固定在所述杜瓦冷指底部、与冷头相对的一侧包括以下步骤：
将焊料箔放置在所述杜瓦冷指底部，将所述蓄冷装置放置在所述焊料箔上；
将放置焊料箔和蓄冷装置后的杜瓦冷指放置在真空钎焊炉内处理至所述焊料箔融化。
4.如权利要求3所述的J-T制冷红外探测器，其特征在于，所述焊料箔的材质为AgCu28合金。
5.如权利要求3所述的J-T制冷红外探测器，其特征在于，将放置焊料箔和蓄冷装置后的杜瓦冷指放置在真空钎焊炉内处理时，在810℃～835℃的条件下保温1S～60S。
6.如权利要求2所述的J-T制冷红外探测器，其特征在于，采用粘接方式将所述蓄冷装置固定在所述杜瓦冷指底部、与冷头相对的一侧包括以下步骤：
在所述蓄冷装置表面涂胶水后，放置在所述杜瓦冷指底部、与冷头相对的一侧，固化。
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