[发明专利]一种硅的提纯方法

权利要求书

1.一种硅的提纯方法，其特征在于，该提纯的工艺包括以下步骤：

(1)硅料表面清理，将待提纯的硅料的表面通过碳酸氢钠溶液进行清洗，然后放置在阴凉通风处进行表面干燥，且阴凉干燥的时间设为1—1.5h。

(2)硅料加热，将待提纯的置于封闭的提纯箱内后抽成真空，当提纯箱内的气压降低到10^-2Pa时开始对硅料进行加热，直至加热到硅料融化成硅料熔体。

(3)硅料提纯，将硅料熔体的表面温度达到830—850℃时，且硅料内部的温度达到820℃，然后保持恒温状态，在通过析出进行提纯，然后将析出的高纯度的硅料结晶进行进行缓慢加热，且加热的速度随结晶量的增加进行调整，使结晶成型并且进行收集。

(4)冷却回温处理，将提纯完成后的硅料进行冷却处理，在冷却时分多次进行多级冷却。

2.根据权利要求1所述的一种硅的提纯方法，其特征在于，所述的步骤1中硅料表面清理时碳酸氢钠溶液的浓度为7—10％。

3.根据权利要求1所述的一种硅的提纯方法，其特征在于，所述的步骤3中的提纯后的硅料的表面裂纹和掉角的不良度<2％。

4.根据权利要求1所述的一种硅的提纯方法，其特征在于，所述的步骤3中的提纯后的硅料的杂质含量<1％。

5.根据权利要求1所述的一种硅的提纯方法，其特征在于，所述的步骤4中对提纯后的硅料进行冷却处理时进行多次多级冷却，冷却的速度为10—20℃/min，当温度降低到80—90℃时放置到空气中进行自由冷却。