[发明专利]一种离子源束流诊断用发射度仪探头

权利要求书

1.一种离子源束流诊断用发射度仪探头，设置在离子源束流诊断用发射度仪上，所述离子源束流诊断用发射度仪设置在同位素电磁分离器上，所述同位素电磁分离器包括设置在真空环境中、设有引出电极的离子源，所述离子源从所述引出电极的引出缝中射出离子束，其特征是：所述同位素电磁分离器用于对铷元素Rb进行电磁分离，得到⁸⁵Rb、⁸⁷Rb两种同位素，所述离子束的束流能量为30keV，最大张角达到±14.5度，流强≤100mA；所述离子源束流诊断用发射度仪探头包括上下平行设置的、用于静电偏转的低电位极板(2)、高电位极板(3)，所述高电位极板(3)设置在所述低电位极板(2)上方；设置在所述低电位极板(2)、高电位极板(3)两端的前缝口(7)和后缝口(4)，所述前缝口(7)靠近所述离子源的所述引出缝；还包括设置在所述后缝口(4)上的法拉第筒(6)；所述离子束能够从所述前缝口(7)进入所述低电位极板(2)、高电位极板(3)之间经过静电偏转后，从所述后缝口(4)进入所述法拉第筒(6)。

2.如权利要求1所述的探头，其特征是：

所述低电位极板(2)、高电位极板(3)长度为200mm；

所述低电位极板(2)、高电位极板(3)之间的间距为30mm；

所述前缝口(7)、后缝口(4)宽度为0.5mm；

所述低电位极板(2)、高电位极板(3)上加载扫描电压。

3.如权利要求2所述的探头，其特征是：所述扫描电压为5kV。

4.如权利要求3所述的探头，其特征是：所述扫描电压的扫描步长为20V。

5.如权利要求1所述的探头，其特征是：还包括设置在所述后缝口(4)、法拉第筒(6)之间的抑制电极(9)，所述抑制电极(9)加载抑制电压用于抑制二次电子的逃逸。

6.如权利要求5所述的探头，其特征是：所述抑制电压为300V。

7.如权利要求1所述的探头，其特征是：所述法拉第筒(6)采用不锈钢材料制作,所述前缝口(7)设置在前缝口板(1)上，所述前缝口板(1)采用高纯石墨制作。

8.如权利要求2所述的探头，其特征是：所述低电位极板(2)、高电位极板(3)上设有偏压电源线，所述偏压电源线连接设置在所述离子源束流诊断用发射度仪探头外部的扫描电源，用于所述扫描电源向所述低电位极板(2)、高电位极板(3)加载所述扫描电压。

9.如权利要求1所述的探头，其特征是：所述法拉第筒(6)上设有信号连线，所述信号连线连接设置在所述离子源束流诊断用发射度仪探头外部的接收装置，用于向所述接收装置发送所述法拉第筒(6)获得的电流信号。