[发明专利]用于使用感测电路执行逻辑运算的设备及方法有效

专利信息
申请号: 201611113948.3 申请日: 2014-02-20
公开(公告)号: CN107424642B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 特洛伊·A·曼宁 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/10;G11C11/4091;G11C11/4093;G11C11/4094;G11C15/04
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 路勇
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 使用 电路 执行 逻辑运算 设备 方法
【说明书】:

本发明包含与使用感测电路执行逻辑运算有关的设备及方法。实例性设备包括存储器单元阵列及耦合到所述阵列的感测电路。所述感测电路经配置以使用存储于耦合到感测线的第一存储器单元中的数据值作为第一输入及使用存储于耦合到所述感测线的第二存储器单元中的数据值作为第二输入来执行逻辑运算。所述感测电路经配置以在不经由感测线地址存取传送数据的情况下执行所述逻辑运算。

分案申请的相关信息

本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2014年2月20日、申请号为201480011890.4、发明名称为“用于使用感测电路执行逻辑运算的设备及方法”的发明专利申请案。

技术领域

本发明一般来说涉及半导体存储器及方法,且更特定来说涉及与使用感测电路执行逻辑运算有关的设备及方法。

背景技术

存储器装置通常作为内部半导体集成电路提供于计算机或其它电子系统中。存在包含易失性及非易失性存储器的许多不同类型的存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据(例如,主机数据、错误数据等)且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及晶闸管随机存取存储器(TRAM)以及其它存储器。非易失性存储器可通过在未经供电时保持所存储数据而提供永久数据且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器及例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁阻随机存取存储器(MRAM)(例如自旋扭矩转移随机存取存储器(STT RAM))的电阻可变存储器以及其它存储器。

电子系统通常包含若干个处理资源(例如,一或多个处理器),所述处理资源可检索并执行指令且将所执行指令的结果存储到适合位置。处理器可包括(举例来说)可用以通过对数据(例如,一或多个运算数)执行例如AND、OR、NOT、NAND、NOR及XOR逻辑运算等逻辑运算来执行指令的若干个功能单元,例如算术逻辑单元(ALU)电路、浮点单元(FPU)电路及/或组合逻辑块。举例来说,功能单元电路(FUC)可用以对运算数执行例如加法、减法、乘法及/或除法的算术运算。

在向FUC提供指令以供执行时可涉及电子系统中的若干个组件。指令可(例如)通过例如控制器及/或主机处理器的处理资源产生。数据(例如,将对其执行指令的运算数)可存储于可由FUC存取的存储器阵列中。可在FUC开始对数据执行指令之前从存储器阵列检索且定序及/或缓冲指令及/或数据。此外,在可经由FUC在一或多个时钟周期中执行不同类型的运算时,也可定序及/或缓冲指令及/或数据的中间结果。

在许多实例中,处理资源(例如,处理器及/或相关联的FUC)可在存储器阵列外部,且经由处理资源与存储器阵列之间的总线存取数据以执行一组指令。处理性能可在存储器中处理器(PIM)装置中进行改良,其中处理器可在存储器内部及/或接近存储器(例如,直接在与存储器阵列相同的芯片上)而实施,此可在处理时节约时间及电力。然而,此类PIM装置可具有例如增大的芯片大小的各种缺陷。此外,此类PIM装置可仍然消耗与执行逻辑运算(例如,计算函数)相关联的不期望量的电力。

发明内容

在一方面中,本申请涉及一种用于执行逻辑运算的设备。所述用于执行逻辑运算的设备包括:存储器单元阵列,其耦合到感测电路;及控制器,其经配置以控制所述感测电路以:使用存储于耦合到感测线的第一存储器单元中的数据值作为第一输入及使用存储于耦合到所述感测线的第二存储器单元中的数据值作为第二输入来执行逻辑运算;且其中所述设备经配置以在不经由感测线地址存取传送数据的情况下执行所述逻辑运算;且其中所述设备经配置以在不经由感测线地址存取传送数据的情况下将所述逻辑运算的结果存储于所述第一存储器单元、所述第二存储器单元及第三存储器单元中的至少一者中。

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