[发明专利]一种高性能烧结钕铁硼磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种制备烧结钕铁硼磁体的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

准备钕铁硼粉末、硫和/或金属硫化物粉末、低熔点金属粉末；

将所述硫和/或金属硫化物粉末、所述低熔点金属粉末分别与有机溶剂混合后进行多级研磨，制备固液比为0.1-2g/ml的硫和/或金属硫化物的悬浊液及低熔点金属的悬浊液；所述硫和/或金属硫化物的悬浊液中硫和/或金属硫化物的粒径为100-450nm，所述低熔点金属的悬浊液中低熔点金属的粒径≤1μm；

在氮气或氩气的气氛下，将所述硫和/或金属硫化物的悬浊液及所述低熔点金属的悬浊液分别加入到所述钕铁硼粉末中，混合均匀，获得混合物；所述硫和/或金属硫化物与所述钕铁硼的质量比为0.05-2:100，所述低熔点金属与所述钕铁硼的质量比为0.5-2:100；

将所述混合物压制成型、烧结，然后进行热处理，获得高性能烧结钕铁硼磁体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低熔点金属粉末为铜、铝或铜铝合金。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钕铁硼粉末的粒径为3-5μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂为醇类、烃类、醚类或脂类。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用三维混料机将所述硫和/或金属硫化物的悬浊液、所述低熔点金属的悬浊液和所述钕铁硼粉末混合均匀，混合的时间为0.5-5h。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述混合物在1.5-2.5T的磁场中取向并压制成型。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烧结在真空烧结炉中进行，烧结温度为1000-1065℃，烧结时间为2-5h。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理为二级热处理，第一级热处理温度为850-950℃，第二级热处理温度为480-550℃，热处理的时间共为2-5h。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用氢破碎和气流磨将钕铁硼制备成粒径为3-5μm的钕铁硼粉末。

10.一种烧结钕铁硼磁体，其特征在于，所述烧结钕铁硼磁体由权利要求1-9中任一所述的方法制备而成，所述烧结钕铁硼磁体的晶界连续，硫元素和低熔点金属元素偏聚在所述晶界处。