[发明专利]基于低频注入技术的绝缘电阻检测方法及装置在审

专利信息
申请号: 201611085435.6 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN106771617A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 胡秋仔 申请(专利权)人: 深圳市沃特玛电池有限公司
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)44312 代理人: 王利彬
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 低频 注入 技术 绝缘 电阻 检测 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明属于电力领域,尤其涉及一种基于低频注入技术的绝缘电阻检测方法及装置。

背景技术

光伏发电、储能和电动汽车领域中都需要使用高压的电力系统,有时候使用环境会出现比较恶劣的环境,为了保证高压的电力系统正常运行,防止漏电事故,对高压电池系统的正负极对地绝缘电阻进行检测显得尤为重要。

现有技术中,绝缘电阻检测技术中低频注入法是近几年采用的一种检测技术。在使用此方法检测过程中,受到电力系统对地分布电容的影响,在线检测绝缘电阻时的电压波形会由于分布电容的影响而变形,在短时间内无法达到稳态,从而造成检测误差。

发明内容

本发明提供一种基于低频注入技术的绝缘电阻检测方法及装置,旨在解决由于使用低频注入法会受到分布电容影响而导致在线检测绝缘电阻时的电压波形变形,从而造成检测误差的问题。

本发明提供的一种基于低频注入技术的绝缘电阻检测方法,包括:在神经网络中构建神经网络模型,所述神经网络模型包括各分布电容值下不同阻值的样本电阻,所述样本电阻对应的样本电压值轨迹以及所述样本电阻对应的稳态电压;按照预置时间间隔实时对所述目标电阻端的电压值进行采集,根据采集到的电压值确定所述目标电阻端的电压值波形处于上升沿阶段或者下降沿阶段,并按照所述预置时间间隔采集所述目标电阻端的电压值波形中上升沿或下降沿中的预置时间段内的目标电压值;通过所述神经网络将所述采集到的目标电压值组成待比对的电压值轨迹,并在所述神经网络模型中查找与所述待比对的电压值轨迹完全相同的目标样本电压值轨迹;在所述神经网络模型中查找所述目标样本电压值轨迹对应的目标稳态电压,并根据所述目标稳态电压、所述目标电阻对应的分布电容值、所述目标电阻的阻值和预置电阻值算出待检测正极绝缘电阻和待检测负极绝缘电阻的阻值。

本发明提供的一种基于低频注入技术的绝缘电阻检测装置,包括:创建模块,用于在神经网络中构建神经网络模型,所述神经网络模型包括各分布电容值下不同阻值的样本电阻,所述样本电阻对应的样本电压值轨迹以及所述样本电阻对应的稳态电压;采集模块,用于按照预置时间间隔实时对所述目标电阻端的电压值进行采集,根据采集到的电压值确定所述目标电阻端的电压值波形处于上升沿阶段或者下降沿阶段,并按照所述预置时间间隔采集所述目标电阻端的电压值波形中上升沿或下降沿中的预置时间段内的目标电压值;比对控制模块,用于通过所述神经网络将所述采集到的目标电压值组成待比对的电压值轨迹,并在所述神经网络模型中查找与所述待比对的电压值轨迹完全相同的目标样本电压值轨迹;计算模块,用于在所述神经网络模型中查找所述目标样本电压值轨迹对应的目标稳态电压,并根据所述目标稳态电压、所述目标电阻对应的分布电容值、所述目标电阻的阻值和预置电阻值算出待检测正极绝缘电阻和待检测负极绝缘电阻的阻值。

本发明提供的基于低频注入技术的绝缘电阻检测方法及装置,在神经网络中构建神经网络模型,按照预置时间间隔实时对该目标电阻端的电压值进行采集,根据采集到的电压值确定该目标电阻端的电压值波形处于上升沿阶段或者下降沿阶段,并按照该预置时间间隔采集该目标电阻端的电压值波形中上升沿或下降沿中的预置时间段内的目标电压值,通过该神经网络将该采集到的目标电压值组成待比对的电压值轨迹,并将该待比对的电压值轨迹分别与该神经网络模型中的各样本电压值轨迹进行比对,得到与该待比对的电压值轨迹完全相同的目标样本电压值轨迹,在该神经网络模型中查找该目标样本电压值轨迹对应的目标稳态电压,并根据该目标稳态电压、该目标电阻对应的分布电容值、该目标电阻的阻值和预置电阻值算出正极绝缘电阻和负极绝缘电阻的阻值,这样通过预先创建的神经网络模块只提取预置时间段内的电压值形成该待比对的电压值轨迹,故可以快速的确定目标电阻端的稳态电压,同时也克服了分布电容对电压波形的干扰,从而提高了检测精度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例。

图1是本发明第一实施例提供的基于低频注入技术的绝缘电阻检测方法的实现流程示意图;

图2是本发明实施例中,低频注入技术的检测电路的结构图;

图3是本发明第二实施例提供的基于低频注入技术的绝缘电阻检测方法的实现流程示意图;

图4是本发明实施例中样本电阻端的电压值波形的示意图;

图5是本发明第三实施例提供的基于低频注入技术的绝缘电阻检测装置的结构示意图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市沃特玛电池有限公司,未经深圳市沃特玛电池有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611085435.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top