[发明专利]一种直流超高压交联电缆软接头及制作工艺

权利要求书

1.一种直流超高压交联电缆软接头，其特征在于：由内层至外层依次分别包括导体焊接区（1）、导体内半导电屏蔽层恢复区（2）、原电缆内半导电屏蔽层的预留段（3）、电缆软接头的交联聚乙烯绝缘层恢复区（4）、原电缆绝缘层及反应力锥（5）、电缆接头绝缘外半导电屏蔽层恢复区（6）、电缆接头绝缘外半导电阻水带绕包层（7）、电缆接头的金属屏蔽恢复层（8）、原电缆的金属屏蔽层预留段（9）和电缆接头的外层聚烯烃护套（10）。

2.权利要求1所述直流超高压交联电缆软接头的制作工艺，其特征在于它包括以下步骤：

步骤1，导电线芯的焊接；

步骤2，电缆接头的导体内半导电屏蔽层的恢复；

步骤3，电缆接头的直流交联聚乙烯绝缘层的挤塑恢复；

步骤4，电缆接头的直流交联聚乙烯绝缘层硫化；

步骤5，电缆接头绝缘外半导电屏蔽层的恢复；

步骤6，电缆接头的外层结构恢复。

3.根据权利要求2所述直流超高压交联电缆软接头的制作工艺，其特征在于，所述步骤1中具体为，剥切待连接的两根电缆的端头，裸露出待焊接的导体，将两根导体固定在导体焊接架上，然后进行施焊，导体焊接采用低电阻率的银焊条。

4.根据权利要求2所述直流超高压交联电缆软接头的制作工艺，其特征在于，所述步骤2中具体为，剥切电缆接头的反应力锥，在反应力锥的端部设置内半导电屏蔽层的预留段，然后用备好的内屏蔽带绕包在接头导体上，并注意覆盖住内半导电屏蔽层的预留段，安装好电缆接头内屏蔽硫化模，按工艺要求对内屏蔽硫化模进行加温，紧压硫化模，待恢复的导体半导电屏蔽层冷固后打磨修整成型。

5.根据权利要求2所述直流超高压交联电缆软接头的制作工艺，其特征在于，所述步骤3中具体为，将剥切好电缆接头反应力锥，做好导体半导电屏蔽层的电缆接头半成品置于绝缘挤塑模具中，将绝缘挤塑模具的硅橡胶内模型腔升温到100～120℃间，然后用挤塑机将备好的直流电缆交联聚乙烯绝缘料填充到绝缘挤塑模具的硅橡胶内模型腔中，等待一段时间，待填充的绝缘料温度降至低于50℃后，拆除模具，取出电缆接头半成品，稍做外型修整，待硫化。

6.根据权利要求2所述直流超高压交联电缆软接头的制作工艺，其特征在于，所述步骤4中具体为，将已挤塑恢复了交联聚乙烯绝缘层的直流电缆接头，置于电缆接头硫化筒内，做好硫化筒与电缆接头间的密封；在硫化筒内充入0.8～1.2MPa的氮气，同时对硫化筒加温，加温温度为180～230℃，在硫化筒高温、高氮气压力的环境氛围中，电缆接头新填充的直流交联聚乙烯绝缘层与原直流电缆交联聚乙烯绝缘层的相互再次融合，并且重新交联硫化，结合成一体，新填充的绝缘层与原电缆绝缘层之间不再存有间隙。

7.根据权利要求2所述直流超高压交联电缆软接头的制作工艺，其特征在于，所述步骤5中具体为，先在备好的电缆接头交联聚乙烯绝缘层上均匀地涂敷上一层半导电体凝胶，然后在半导电体凝胶上覆盖外半导电聚烯烃屏蔽层，保证彻底消除电缆接头交联聚乙烯绝缘层与外半导电屏蔽层之间的气隙，使制成的超高压直流交联聚乙烯绝缘电力电缆软接头有更好的电气性能。

8.根据权利要求2所述直流超高压交联电缆软接头的制作工艺，其特征在于，所述步骤6中陆地的直流电缆金属屏蔽及外护层恢复，按照电缆的外层结构一层层制作，恢复好电缆接头绝缘外半导电阻水带绕包层（7）；在制作软接头外层金属屏蔽层时将恢复的金属屏蔽层（8）与原电缆两端外露的金属屏蔽层预留段（9）可靠地焊接在一起，采用烫锡焊接，陆地直流电缆的金属屏蔽外层聚烯烃护套（10）恢复，采用聚烯烃热收缩套管工艺。

9.根据权利要求2所述直流超高压交联电缆软接头的制作工艺，其特征在于，所述步骤6中海底电缆软接头的铅管护套恢复，首先在电缆软接头的绝缘外半导电屏蔽层上恢复绕包数层半导电阻水带（7），然后再套上预先制备的合金铅套管，或者是用2～4mm厚的铅板在电缆软接头绝缘外半导电阻水带（7）上修整出合适的铅套管护层；然后采用氢氧火焰焊接，或是烫锡焊接恢复海底电缆软接头的外层铅护套，制作电缆软接头的外层铅护套与原电缆两端的外露铅管护套可靠地焊接在一起，海底直流电缆软接头的塑料护套的恢复常采用聚烯烃热收缩套管工艺，或者采用塑料粘胶带多层绕包工艺，海底直流电缆软接头钢丝铠装层恢复，采用原电缆同样的钢丝一根根电弧焊接恢复工艺。