[发明专利]一种投影曝光装置及曝光方法

说明书

本发明公开了一种投影曝光装置及曝光方法，包括沿光路方向依次设置的照明光源、掩模版、掩模台、投影物镜阵列、对准测量系统阵列和工件台，所述工件台上设有玻璃基板，所述对准测量系统阵列中的对准测量系统与所述投影物镜阵列中的投影物镜一一对应，所述玻璃基板上设有两行对准标记阵列，所述对准标记阵列中相邻两个对准标记的间距与所述对准测量系统阵列中相邻两个对准测量系统的间距相同。本发明提高了对准标记和对准测量系统的空间布局灵活性；减少了对准标记和对准检测系统的数量，对准检测系统的数目和投影物镜的数目相同，减少了对准过程的时间消耗，提高了检测效率。

技术领域

本发明涉及光刻技术领域，具体涉及一种投影曝光装置及曝光方法。

背景技术

TFT是Thin Film Transistor(薄膜场效应晶体管)的简称，是一种采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制造技术。TFT是在玻璃或塑料基板等非单晶片上(当然也可以在晶片上)通过溅射、化学沉积工艺形成制造电路必需的各种膜，通过对膜的加工制作大规模半导体集成电路(LSIC)。随着相关电子消费类产品的发展，对TFT的尺寸要求越来越大，集成的单元越来越多，单一的照明系统很难满足TFT光刻的需求。通常使用在集成电路制造、封装等步进光刻设备的最大的照明视场一般为8英寸，扫描光刻也只是在扫描方向有更大的视场，一般也不超过10英寸。但是五代以上的TFT曝光视场都在17英寸以上，单一镜头的照明视场远远不能满足大视场光刻的要求，所以多视场拼接扫描投影光刻机便应运而生，其很好地解决了大面积的器件制作与产率之间的矛盾，广泛用于大面积半导体器件、平板显示(如LCD)、薄膜的生产上。

多物镜、多视场的扫描拼接技术对对准系统提出来更高的要求，因曝光器件的面积增大，为实现准确的对准需要设置多个对准视场点。如图1所示，现有技术中提出了一种多视场拼接的对准方法，N个物镜视场对应于N+1个基板对准系统2’，基板对准系统2’的数目与基板对准标记相对应；然而由于该方法需检测更多的对准标记，且对准系统的位置需限定于相邻投影物镜1’的交叠部，对准过程时间耗费长，提高了曝光的时间，降低了工作效率。

发明内容

本发明提供了一种投影曝光装置及曝光方法，以解决现有技术中存在的对准过程时间耗费长，工作效率低的问题。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种投影曝光装置，包括沿光路方向依次设置的照明光源、掩模版、掩模台、投影物镜阵列、对准测量系统阵列和工件台，所述工件台上设有玻璃基板，所述对准测量系统阵列中的对准测量系统与所述投影物镜阵列中的投影物镜一一对应，所述玻璃基板上设有两行对准标记阵列，所述对准标记阵列中相邻两个对准标记的间距与所述对准测量系统阵列中相邻两个对准测量系统的间距相同。

进一步的，所述投影物镜的中轴线与曝光扫描方向平行，所述对准测量系统设于对应投影物镜的中轴线上。

进一步的，所述对准测量系统沿非曝光扫描方向排列。

进一步的，所述投影物镜沿非曝光扫描方向错位排列。

进一步的，每行所述对准标记阵列中对准标记的数量与所述对准测量系统阵列中对准测量系统的数量相同。

进一步的，还包括与所述掩模台、工件台连接的控制系统，控制所述掩模台、工件台相对运动。

控制系统本发明还提供一种投影曝光装置的曝光方法，包括以下步骤：

S1：步进工件台，将玻璃基板上的第一对准标记阵列移入对准测量系统阵列的视场内；

S2：通过对准测量系统阵列测量第一对准标记阵列在工件台坐标系下的位置坐标；

S3：再次步进工件台，将玻璃基板上的第二对准标记阵列移入对准测量系统阵列的视场内；

S4：通过对准测量系统阵列测量第二对准标记阵列在工件台坐标系下的位置坐标；