[发明专利]一种金刚石与GaN晶圆片直接键合的方法在审
申请号: | 201611073490.3 | 申请日: | 2016-11-29 |
公开(公告)号: | CN106783645A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请(专利权)人: | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人: | 王青松 |
地址: | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金刚石 gan 晶圆片 直接 方法 | ||
1.一种金刚石与GaN晶圆片进行直接键合的方法,该方法包括如下步骤:(1)对金刚石和GaN表面进行有机清洗、RCA清洗;(2)对GaN表面进行O2气等离子体处理;(3)对金刚石表面进行H2气等离子处理;(4)将两者在无水乙醇中进行贴合;(5)将贴合好的样品放置在键合机中进行高温真空环境下的键合。
2.根据权利要求1所示的一种金刚石与GaN晶圆片进行直接键合的方法,其特征在于步骤(2)中对GaN表面进行氧气等离子体处理的工艺条件为:O2=30sccm,RF功率为50W,压力为2Par。
3.根据权利要求1所示的一种金刚石与GaN晶圆片进行直接键合的方法,其特征在于步骤(3)中对金刚石表面进行氢气等离子体处理的工艺条件为:H2=10-20sccm,RF功率为60W,压力为1-2Par。
4.根据权利要求1所示的一种金刚石与GaN晶圆片进行直接键合的方法,其特征在于步骤(4)中涉及的无水乙醇溶液的温度为25度,两个外延片在溶液中完全贴合,缝隙中无气泡残留。
5.根据权利要求1所示的一种金刚石与GaN晶圆片进行直接键合的方法,其特征在于步骤(5)中键合的条件是压力为1-3MPar,环境条为真空环境,温度为300-500度,持续加压的时间为1-2小时。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造