[发明专利]一种基于微纳光纤的空间磁场传感器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201611072437.1 申请日: 2016-11-29
公开(公告)号: CN106772133B 公开(公告)日: 2020-01-24
发明(设计)人: 李仙丽 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G01R33/00 分类号: G01R33/00;G01R33/032
代理公司: 61108 西安吉盛专利代理有限责任公司 代理人: 张恒阳
地址: 710071 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 光纤 空间 磁场 传感器 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种基于微纳光纤的空间磁场传感器的制作方法,其特征是:所述的基于微纳光纤的空间磁场传感器,至少包括:微纳光纤(1)和磁光玻璃薄片(2),所述的微纳光纤(1)由单模光纤(4)通过熔融拉锥工艺制成两端直径不变,中间为微纳量级的腰区结构,将制的中间为微纳光纤(1)的腰区与磁光玻璃薄片(2)通过光学胶(3)黏贴制成波导耦合结构;

所述微纳光纤(1)的腰区直径为2μm,微纳光纤(1)的腰区长度大于等于磁光玻璃薄片(2)长度;

所述磁光玻璃薄片(2)的尺寸为10mm×5mm×0.1mm,耦合间距为0.4μm;

所述光学胶(3)为硅凝胶,折射率为1.40;

该方法至少包括如下步骤:

1)通过熔融拉锥工艺将单模光纤(4)制成微纳量级的腰区结构,通过熔融拉锥工艺将单模光纤(4)拉锥到两端直径不变,中间形成带尾纤的微纳光纤(1),微纳光纤(1)的拉锥长度具有不同腰区直径;

2)将制得微纳光纤(1)的腰区置于在磁光玻璃薄片(2)上,并控制微纳光纤(1)与磁光玻璃薄片(2)之间的耦合间距使其形成弱波导耦合结构;

3)将步骤2)中得到的耦合结构整体固定在玻璃基底(5)上,用低折射率的光学胶(3)将微纳光纤(1)与磁光玻璃耦合结构密封封装,待光学胶(3)固化后,传感器制备完成;

微纳光纤的两端通过绝热拉锥与常规单模光纤不间断相连,无任何光路耦合环节。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611072437.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top