[发明专利]一种抗环境沉积物腐蚀热障涂层及其制备方法有效
申请号: | 201611071969.3 | 申请日: | 2016-11-29 |
公开(公告)号: | CN108118190B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 程玉贤;王璐;张春刚;袁福河;朱晓宇 | 申请(专利权)人: | 中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司 |
主分类号: | C22C19/05 | 分类号: | C22C19/05;C22C19/07;C22C30/00;C23C28/00;F02C7/24 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110043 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 贵金属 热障涂层 陶瓷面层 面层 金属粘结底层 沉积物腐蚀 等离子喷涂 制备 电子束物理气相沉积 热障涂层技术 热障涂层体系 超音速喷涂 多弧离子镀 真空电弧镀 磁控溅射 服役寿命 高温合金 粘结底层 腐蚀 | ||
本发明属于热障涂层技术,特别是涉及一种抗环境沉积物腐蚀热障涂层及其制备方法。高温合金基体上依次为真空电弧镀、等离子喷涂或超音速喷涂MCrAlY金属粘结底层,等离子喷涂或电子束物理气相沉积YSZ陶瓷面层,磁控溅射或多弧离子镀贵金属纯Pt面层,NiCrAlY金属粘结底层厚度为0.05~0.15mm,YSZ陶瓷面层厚度为30μm~100μm,贵金属纯Pt面层厚度为10μm~60μm。采用MCrAlY粘结底层、YSZ陶瓷面层和贵金属Pt面层组成的热障涂层体系,可以有效防止CMAS的腐蚀,提高热障涂层的可靠性和服役寿命。
技术领域
本发明属于热障涂层技术,特别是涉及一种抗环境沉积物腐蚀热障涂层及其制备方法。
背景技术
热障涂层(Thermal Barrier Coatings,TBCs)是先进航空发动机高温热端部件的关键技术之一,它一般由抗氧化腐蚀性能良好的金属粘结底层(PtAl或MCrAlY,M=Ni,Co或Ni+Co)和导热系数低的陶瓷面层(Y2O3部分稳定的ZrO2,YSZ)组成。它与高温合金材料技术、冷却技术并重,成为发展高性能航空发动机的关键技术之一。热障涂层在航空发动机上的使用,将使高温合金能够承受更高的服役温度,提高涡轮前燃气进口温度,同时也可使发动机寿命和可靠性大幅度提高,耗油量降低,动力性能显著改善。根据美国航空航天局(NASA)研究工作报道,采用热障涂层,发动机工作温度每提高14~15℃,发动机总推力可增加1~2%;同时,在极限条件下工作的高温合金表面温度每降低14℃,相当于提高工件使用寿命一倍。因此,从可靠性增长、发动机延寿以及其发展型的研制需求来看,热障涂层是先进航空发动机设计不可或缺的选择。
近年来研究发现,航空发动机热障涂层除了要经受高温、热疲劳和机械载荷等作用外,还遭受化学腐蚀、侵蚀和冲刷,其中,一种以CaO、MgO、Al2O3和SiO2等混合氧化物(CMAS)组成的沉积物对热障涂层的性能和服役寿命产生了巨大的影响。CMAS是由于大气中的灰尘、砂石、火山灰及飞机跑道磨屑等颗粒被吸入航空发动机高温燃气流道内(如:燃烧室、涡轮叶片等零部件),在发动机循环的峰值温度(如:起飞或降落)时,这些物质形成玻璃态熔融沉积物。CMAS熔体与涂层材料润湿性能良好,它会沿陶瓷层的微裂纹、孔洞等逐渐渗入涂层内部,填充陶瓷层中的空隙,降低了陶瓷层的断裂韧性,并且诱发循环氧化过程中的裂纹萌生。尤其是对于电子束物理气相沉积制备的热障涂层,由于CMAS的渗入,破坏了热障涂层原有的柱状晶结构,降低了涂层的应变容限,从而导致涂层过早发生剥落,影响热障涂层的服役寿命和可靠性。
发明内容
为了解决在役热障涂层易遭受CMAS腐蚀失效问题,本发明的目的在于提供一种抗环境沉积物(CMAS)腐蚀热障涂层及其制备方法。采用MCrAlY粘结底层、YSZ陶瓷面层和贵金属Pt面层组成的热障涂层体系,可以有效防止CMAS的腐蚀,提高热障涂层的可靠性和服役寿命。
本发明的技术方案是:
一种抗环境沉积物腐蚀热障涂层,高温合金基体上依次为真空电弧镀、等离子喷涂或超音速喷涂MCrAlY金属粘结底层,等离子喷涂或电子束物理气相沉积YSZ陶瓷面层,磁控溅射或多弧离子镀贵金属纯Pt面层,NiCrAlY金属粘结底层厚度为0.05~0.15mm,YSZ陶瓷面层厚度为30μm~100μm,贵金属纯Pt面层厚度为10μm~60μm。
所述的抗环境沉积物腐蚀热障涂层的制备方法,具体步骤如下:
步骤1:对高温合金基体进行表面预处理;
步骤2:采用真空电弧镀、等离子喷涂APS或超音速喷涂HVOF在高温合金表面制备抗氧化腐蚀性能良好的MCrAlY金属粘结底层,其成分为Al含量为8~12wt%,Cr含量为18~22wt%,Y含量为0.5~1wt%,其余为Ni、Co或Ni+Co;
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