[发明专利]一种吸波材料辐射影响仿真方法和系统

说明书

本申请公开了一种吸波材料辐射影响仿真方法和系统，解决现有技术对吸波材料建模计算困难的问题。所述方法包括以下步骤：在所述电磁兼容暗室内建立辐射源和接收天线；在辐射源关于每个铺设有吸波材料的内表面的镜像位置，分别建立一个等效辐射源，等效辐射源的强度为所述辐射源强度与所述吸波材料反射损耗的乘积；在未铺设吸波材料的内表面为良导体、去除铺设有吸波材料内表面、保留等效辐射源的条件下计算所述接收天线接收到的辐射场强度，作为仿真场强度。本申请实施例还提供一种吸波材料辐射影响仿真系统，用于仿真电磁兼容暗室，所述仿真系统包含：仿真源、仿真接收天线、等效源、良导体板。本申请降低计算资源需求，提高运算效率。

技术领域

本申请涉及电磁场测量领域，尤其涉及一种分析吸波材料对辐射影响的仿真方法和系统。

背景技术

辐射发射试验是重要的电磁兼容试验项目，试验场地性能的好坏会对辐射发射试验结果产生较大的影响。常用的试验场地是由墙面铺设吸波材料的屏蔽室建成的电磁兼容暗室，墙面吸波材料的反射特性影响暗室性能，进而影响辐射发射试验结果。

为了评估吸波材料反射损耗对暗室辐射发射试验结果的影响，一般通过数值模拟方法，对暗室及其内表面贴覆的吸波材料进行精确建模。在考虑暗室吸波材料对被测件辐射信号的反射时，需要按照吸波材料的结构形式、尺寸参数及材料参数进行完全实物建模。对于吸波材料的模拟，根据其实际结构形式及尺寸参数进行建模，同时需要对其材料参数进行设置。在电磁兼容暗室内，常用的吸波材料为角锥结构形式。在进行电磁仿真计算时，需要将所有的角锥结构内部进行网格剖分，从而得到其电磁仿真结果。在该仿真分析方法中，不仅需要暗室大小参数、结构形状，还需吸波材料长短、结构、分布、性能等信息，建立仿真模型，分析吸波材料反射损耗对暗室辐射发射试验的影响。

吸波材料建模过程中，首先，吸波材料的结构形式多样，建立准确模型的难度较大；其次，吸波材料的组成成分复杂，多为复合材料，其材料参数难以获得；而且，完全实物建模在仿真计算时会导致模型划分网格数量巨大，计算资源需求庞大，运算时间超长，运算效率低下，实时性与实用性低。

发明内容

本申请提出一种吸波材料辐射影响仿真方法和系统，解决现有技术对吸波材料建模计算困难的问题，方法可有效地解决以上不足。

本申请实施例提供一种吸波材料辐射影响仿真方法，用于电磁兼容暗室，所述电磁兼容暗室为封闭的六面体屏蔽室，至少一个内表面铺设有吸波材料，其特征在于，包括以下步骤：

在所述电磁兼容暗室内建立辐射源和接收天线；

在所述辐射源关于每个所述铺设有吸波材料的内表面的镜像位置，分别建立一个等效辐射源，所述等效辐射源的强度为所述辐射源强度与所述吸波材料反射损耗的乘积；

在未铺设吸波材料的内表面为良导体、去除铺设有吸波材料内表面、保留等效辐射源的条件下计算所述接收天线接收到的辐射场强度，作为仿真场强度。

优选地，所述吸波材料辐射影响仿真方法，还包括以下步骤：

在未铺设吸波材料的内表面为良导体、在铺设有吸波材料内表面无反射的条件下计算所述接收天线收到的辐射场强度，作为理想场强度；

计算所述理想场强度和所述仿真场强度的差值。