[发明专利]电子封装件及其制法在审
申请号: | 201611063129.2 | 申请日: | 2016-11-28 |
公开(公告)号: | CN108074826A | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 张怀玮;刘鸿汶;许习彰;姜亦震;张晃铨 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 屏蔽件 电子封装件 承载结构 包覆层 遮蔽层 制法 电磁干扰 电性连接 包覆 外围 覆盖 | ||
一种电子封装件及其制法,该电子封装件包括:承载结构、设于该承载结构上的电子元件与屏蔽件、形成于该承载结构上且包覆该电子元件与该屏蔽件的包覆层、以及形成于该包覆层上并电性连接该屏蔽件的遮蔽层,使该电子元件外围覆盖有屏蔽件与遮蔽层,而避免该电子元件受外界的电磁干扰。
技术领域
本发明有关一种封装技术,尤指一种能防止电磁干扰的半导体封装件及其制法。
背景技术
随着半导体技术的演进,半导体产品已开发出不同封装产品型态,而为提升电性品质,多种半导体产品具有屏蔽的功能,以防止电磁干扰(ElectromagneticInterference,简称EMI)产生。
请参阅图1A至图1C,其为现有避免EMI的射频(Radio frequency,RF)模组的制法,该射频模组1将多个如射频及非射频式晶片的电子元件11电性连接在一基板10上,再以例如环氧树脂的封装层13包覆各该电子元件11,之后进行切单制程(如图1B所示的切割路径,其以虚线表示),再于该封装层13的顶面13a与侧面13c及该基板10的侧面10c上形成一金属薄膜15,以通过该金属薄膜15保护该些电子元件11免受外界EMI影响。
然而,现有射频模组1中,于切单制程后,再分别于单一射频模组1上形成该金属薄膜15,故需一一于各该射频模组1上形成该金属薄膜15,因而无法一次形成该金属薄膜15于各该射频模组1上,导致该射频模组1的整体制作较为费时且生产成本较高。另外,现有射频模组1具有一般的基板10,使得整体结构的厚度较厚。
因此,如何克服上述现有技术的种种问题,实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
鉴于上述现有技术的缺失,本发明提供一种电子封装件及其制法,避免该电子元件受外界的电磁干扰。
本发明的电子封装件,包括:承载结构;电子元件,其设于该承载结构上;屏蔽件,其设于该承载结构上;包覆层,其形成于该承载结构上,且包覆该电子元件与该屏蔽件,其中,该包覆层具有结合该承载结构的第一表面、相对该第一表面的第二表面与连接该第一表面及第二表面的侧面;以及遮蔽层,其形成于该包覆层的第二表面上并电性连接该屏蔽件且未覆盖该包覆层的侧面。
本发明还提供一种电子封装件的制法,包括:设置电子元件与屏蔽件于一承载结构上;形成包覆层于该承载结构上,以令该包覆层包覆该电子元件与屏蔽件,其中,该包覆层具有结合该承载结构的第一表面、相对该第一表面的第二表面与连接该第一表面及第二表面的侧面;以及形成遮蔽层于该包覆层的第二表面上且未覆盖该包覆层的侧面,并令该遮蔽层电性连接该屏蔽件。
前述的制法中,还包括于形成该遮蔽层后,进行切单制程。
前述的制法中,该承载结构的制程包括:形成绝缘层与设于该绝缘层上的线路层于一承载件上,使该屏蔽件电性连接该线路层;以及形成该包覆层后,移除该承载件。例如,该承载件为晶圆、玻璃板、铝板、或表面具铝层的板体。
前述的电子封装件及其制法中,该承载结构为具有核心层的线路构造或无核心层的线路构造。
前述的电子封装件及其制法中,该承载结构具有扇出型重布线路层。
前述的电子封装件及其制法中,该承载结构上设有多个该电子元件,且至少二该电子元件之间设有该屏蔽件。
前述的电子封装件及其制法中,该屏蔽件电性连接该承载结构。
前述的电子封装件及其制法中,该屏蔽件位于该电子元件周围。
前述的电子封装件及其制法中,该屏蔽件的部分表面外露于该包覆层的第二表面。例如,该包覆层的第二表面上具有外露该屏蔽件的部分表面的凹部,使该遮蔽层延伸至该凹部中,以接触该屏蔽件;或者,该包覆层的第二表面齐平该屏蔽件外露的部分表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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