[发明专利]一种磁通门传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种磁通门传感器，其特征在于，包括：绝缘基底、磁芯、激励线圈和感应线圈；

通过在绝缘基底表面上利用薄膜生长技术生成一层软磁材料作为磁芯；在所述软磁材料层上形成一层绝缘层；在所述绝缘层上沉积一层金属导电层；

通过刻蚀技术将所述导电层刻蚀形成所述激励线圈和感应线圈。

2.如权利要求1所述的磁通门传感器，其特征在于，在所述导电层上通过沉积或沉淀的方式生成一层保护层。

3.如权利要求2所述的磁通门传感器，其特征在于，所述软磁材料层具体采用玻莫合金薄膜作为磁芯；所述金属导电层具体为金属金或银或铜薄膜。

4.如权利要求2所述的磁通门传感器，其特征在于，所述坡莫合金的薄膜生长技术采用物理气相沉淀中的溅射法，溅射法是利用带有电荷的离子在电场中加速后具有一定动能，将离子引向被溅射的坡莫合金，轰击被溅射的坡莫合金使其原子或分子逸出从而淀积到基底上形成薄膜；

由于溅射法分子在排列上会有不规律，才溅射后通过退火来进行处理；所述退火具体为在H2环境下,无空气,800～1200摄氏度，自然冷却30分钟。

5.如权利要求1所述的磁通门传感器，其特征在于，所述金属导电层还可以通过电镀或化学镀的方式生成；所述刻蚀方式包括激光光刻方式或化学蚀刻方式。

6.一种磁通门传感器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

a.选择合适尺寸的绝缘基底进行薄膜生长，在绝缘基底表面上生长一层软磁材料作为磁芯；

b.在所述软磁材料层上生成一层绝缘层；

c.在绝缘层之上沉积一层金属导电层；

d.通过刻蚀的方式，在所述金属导电层上形成激励线圈和感应线圈。

7.如权利要求6所述的磁通门传感器制造方法，其特征在于，还包括步骤：

e.在所述金属导电层之上通过沉积或沉淀的方式生成一层保护层。

8.如权利要求7所述的磁通门传感器制造方法，其特征在于，所述软磁材料层具体采用玻莫合金薄膜作为磁芯；所述金属导电层具体采用金属金、银或铜薄膜。

9.如权利要求7所述的磁通门传感器制造方法，其特征在于，

所述坡莫合金的薄膜生长技术采用物理气相沉淀中的溅射法，溅射法是利用带有电荷的离子在电场中加速后具有一定动能，将离子引向被溅射的坡莫合金，轰击被溅射的坡莫合金使其原子或分子逸出从而淀积到基底上形成薄膜；

由于溅射法分子在排列上会有不规律，才溅射后通过退火来进行处理；所述退火具体为在H2环境下,无空气,800～1200摄氏度，自然冷却30分钟。

10.如权利要求6所述的磁通门传感器制造方法，其特征在于，所述金属导电层还可以通过电镀或化学镀的方式生成；所述刻蚀方式包括激光光刻方式或化学蚀刻方式。