[发明专利]一种光纤模组用的结构支架及其制作方法

权利要求书

1.一种光纤模组用的结构支架，其特征在于：包括键合在一起的至少两块晶圆（101），晶圆相对面上开设有光纤沟槽（102），两晶圆的光纤沟槽相配装形成光纤通道；对应光纤通道接口的上层晶圆侧壁以及上层晶圆上表面均设置有焊盘（108）；下层晶圆与上层晶圆设置有焊盘的同一侧壁也设置有焊盘；

所述光纤模组的光信号收发芯片（106）焊接在两晶圆侧壁的焊盘上，光纤模组的电芯片（105）焊接在顶层晶圆上表面的焊盘上。

2.根据权利要求1所述的一种光纤模组用的结构支架，其特征在于：所述焊盘上自下而上依次为铜层、镍层、钯层和金层，所述镍层的厚度为2um~10um，钯层的厚度为100nm~10um，金层的厚度为50nm~100nm。

3.根据权利要求1所述的一种光纤模组用的结构支架，其特征在于：所述光纤沟槽（102）的横截面为三角形、方形、半圆形或梯形中的一种。

4.如权利要求1所述的一种光纤模组用的结构支架的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

A.在晶圆上表面制作焊盘和硅通孔TSV；

B.在晶圆表面开设光纤沟槽，通过键合工艺使两片晶圆结合在一起形成光纤通道；

C.通过光刻和刻蚀工艺使侧壁焊点露出并使支架从晶圆上分离

D. 在支架上焊接光信号收发芯片和电芯片。

5.根据权利要求4所述的一种光纤模组用的结构支架的制作方法，其特征在于，步骤A具体包括：

A1.通过光刻工艺在晶圆表面定义出表面焊盘，并刻蚀出焊盘，焊盘深度1um~100um；

A2.在晶圆一端通过光刻和刻蚀定义出硅通孔TSV，TSV深度10um~500um；TSV直径10um~500um；

A3. 通过电镀工艺使TSV和焊盘表面沉积铜金属，通过CMP研磨，使焊盘露出晶圆表面，

A4. 化镀使焊盘表面沉积镍钯金；镍的厚度2um~10um，钯的厚度100nm~10um，金厚度50nm~100nm。

6.根据权利要求4所述的一种光纤模组用的结构支架的制作方法，其特征在于，步骤C的具体步骤为：对键合后晶圆的上层晶圆进行光刻和刻蚀工艺，使硅通孔TSV的侧壁和底部金属露出来，同时对晶圆底部进行减薄，使支架分离出来。