[发明专利]触发可控硅控制单元和控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及高压直流换流阀技术领域，具体涉及一种触发可控硅控制单元和控制方法。

背景技术

可控硅是直流输电系统的核心元件，而可控硅控制单元的主要作用是对可控硅的监视和触发，由于可控硅在直流输电系统中不可或缺的角色，因此对其的保护和及时检测，便至关重要，就目前国际情况而言，前几年国外有研发相关的检测触发仪器，但由于其造价高，仪器笨重体积大，不方便及时的对其进行检测；就目前市场调研结果来看，也有相关系列产品，比国外的产品便携，但是由于无法通过其直接读取数据，所以对于直流输电系统来讲，这还是一个很耗时费力的工作，由于其重要性，因此在日常站内维护，对检测数据的及时性要求也比较严格。这就造成了对可控硅控制单元快速触发，数据实时输出，这样一个检测仪的急切需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种触发可控硅控制单元和控制方法，它能高效控制可控硅触发，同时准确监测可控硅的基本参数数据。

为解决上述技术问题，本发明公开的一种触发可控硅控制单元，其特征在于：它包括处理器、可控硅激光发射装置、可控硅激光接收装置和可控硅参数采集接口，其中，处理器的可控硅触发信号输出端连接可控硅激光发射装置的信号输入端，处理器的可控硅触发状态信号输入端连接可控硅激光接收装置的信号输出端，处理器的可控硅基本参数数据输入端连接可控硅参数采集接口的一端；

所述可控硅激光发射装置的激光信号输出端连接可控硅控制单元的可控硅激光触发信号输入端，可控硅数据采集装置的可控硅基本参数数据输出端连接可控硅参数采集接口的另一端；

所述处理器用于通过可控硅数据采集装置采集可控硅正反重复峰值电压参数、可控硅回路阻抗和可控硅短路电流；

所述处理器还用于通过可控硅激光发射装置向可控硅控制单元发送可控硅激光触发信号；

所述处理器还用于通过可控硅激光接收装置接收可控硅控制单元反馈的可控硅是否触发成功的反馈信息。

一种上述触发可控硅控制单元的控制方法，它包括如下步骤：

步骤1：处理器通过可控硅激光发射装置向可控硅控制单元发射稳频的可控硅激光触发信号；

步骤2：可控硅控制单元将接收到的可控硅激光触发信号进行放大以及逻辑处理然后触发可控硅；

步骤3：可控硅控制单元对可控硅是否触发成功进行判断，并将可控硅是否触发成功的反馈信息反馈给处理器；

步骤4：当处理器得到可控硅已经成功触发的反馈后，处理器通过可控硅参数采集接口采集可控硅的可控硅正反重复峰值电压参数、可控硅回路阻抗和可控硅短路电流；

步骤5：处理器将采集到的可控硅正反重复峰值电压参数、可控硅回路阻抗和可控硅短路电流通过显示器进行显示。

本发明的工作原理为：本发明将固定激光频率和占空比的光信号通过光纤发射到可控硅控制单元电路板，可控硅控制单元根据得到的频率进行判断触发可控硅，从而判断可控硅以及阻尼回路的好坏。

本发明便携智能，能对可控硅控制单元快速触发，并能得到可控硅触发状态的反馈信息，同时还可以快速准确获取以触发可控硅的基本参数数据。本发明可广泛地应用于ABB结构的500kV及800kV换流阀阀试验。推广前景广阔有很强的实用价值。具有不用维修、适应性强、体积小、重量轻、耗电少、不锈蚀，对人体无害等优点。

附图说明

图1是本发明的结构框图；

图2是本发明中可控硅激光发射装置的电路图；

图3位本发明中可控硅激光接收装置的电路图。

其中，1—处理器、2—可控硅激光发射装置、3—可控硅激光接收装置、4—可控硅参数采集接口、5—可控硅数据采集装置、6—可控硅控制单元、7—显示器。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明：

本发明的所设计的一种触发可控硅控制单元，它包括处理器1(STM32处理器)、可控硅激光发射装置2、可控硅激光接收装置3和可控硅参数采集接口4，其中，处理器1的可控硅触发信号输出端连接可控硅激光发射装置2的信号输入端，处理器1的可控硅触发状态信号输入端连接可控硅激光接收装置3的信号输出端，处理器1的可控硅基本参数数据输入端连接可控硅参数采集接口4的一端；

所述可控硅激光发射装置2的激光信号输出端连接可控硅控制单元6的可控硅激光触发信号输入端，可控硅数据采集装置5的可控硅基本参数数据输出端连接可控硅参数采集接口4的另一端；